Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=nanowire<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-23

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Сацук, Светлана Александровна, Комогорцев, Сергей Викторович
Заглавие : Микромагнитное моделирование влияния поликристаллического строения ферромагнитной нанонити на петлю гистерезиса
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 3: Микромагнетизм и доменная структура. - Ст.3-55-57
Примечания : Библиогр.: 4. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта №20-42-240001.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанонит--коэрцитивность--микромагнетизм
Аннотация: Проведено систематическое микромагнитное моделирование петель гистерезиса ферромагнитных нанонитей представляющих собой одномерную цепочку случайно ориентированных кристаллитов и учитывающее три основных вклада в магнитную энергию нити (обменный, диполь-дипольный и энергию анизотропии кристаллита). В случаях, когда одним из трех вкладов в энергию можно пренебречь, численные расчеты хорошо согласуются с результатами известных, аналитически изученных микромагнитных проблем. В случае, когда все три вклада сопоставимы, наблюдается сложное немонотонное поведение коэрцитивной силы от размера кристаллита и константы магнитной анизотропии. С целью интерпретации этих изменений вводится новый микромагнитный масштаб, учитывающий все три вклада в магнитную энергию нити, а также осуществляющий корректный переход к аналитически изученным пределам, учитывающим конкуренцию каких-либо двух вкладов.Extensive micromagnetic simulation results of the hysteresis loops in ferromagnetic nanowire with randomly oriented crystallites ordered in one chain is presented. Three main contributions to the magnetic energy of the wire had been taken into account: exchange, dipole-dipole, and the magnetic anisotropy energy of the crystallite. In cases where one of the three contributions to the energy can be neglected, the numerical calculations are in good agreement with the results of the well-known, analytically studied micromagnetic problems. In the case when all three contributions are comparable, a complex non-monotonic dependence of the coercive force on the crystallite size and the magnetic anisotropy constant is observed. In order to interpret these changes, a new micromagnetic scale is introduced, which takes into account all three contributions to the magnetic energy of the wire, and performs a correct transition to the analytically studied limits, which take into account the competition of any two contributions.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P.B., Kvashnin D.G., Kvashnin A.G., Avramov P. V., Chernozatonskii L.A.
Заглавие : Theoretical study of elastic properties of SiC nanowires of different shapes
Место публикации : J. Nanosci. Nanotechnol. - 2010. - Vol. 10, Is. 8. - P.4992-4997. - ISSN 1533-4880, DOI 10.1166/jnn.2010.2424. - ISSN 1533-4899
Примечания : Cited Reference Count: 49. - Гранты: This work was partially supported by JSPS-RFBR collaborative grant 09-02-92107. The electronic structure calculations have been performed on the Joint Supercomputer Centre of the Russian Academy of Sciences. One of the authors (Pavel V. Avramov) acknowledges the encouragement of Professor K. Morokuma, research leader of Fukui Institute, Kyoto University and Dr. Alister Page for kind help and support. The geometry of all structures was visualized by ChemCraft software.SUP53/SUPФинансирующая организация: JSPS-RFBR [09-02-92107]; Fukui Institute, Kyoto University
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
SILICON-CARBIDE
THERMAL-STABILITY
CARBON NANOTUBES
NANORODS
GROWTH
SURFACES
NANOCRYSTALS
POTENTIALS
CONSTANTS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon carbide--nanowires--elastic properties--dft--molecular mechanics--dft--elastic properties--molecular mechanics--nanowires--silicon carbide--atomic structure--cubic phasis--dft--effective size--elastic properties--sic nanowire--silicon carbide nanowires--theoretical study--wire geometries--young's modulus--crystal atomic structure--density functional theory--elastic moduli--elasticity--molecular mechanics--nanowires--wire--silicon carbide
Аннотация: The atomic structure and elastic properties of silicon carbide nanowires of different shapes and effective sizes were studied using density functional theory and classical molecular mechanics. Upon surface relaxation, surface reconstruction led to the splitting of the wire geometry, forming both hexagonal (surface) and cubic phases (bulk). The behavior of the pristine SiC wires under compression and stretching was studied and Young's moduli were obtained. For Y-shaped SiC nanowires the effective Young's moduli and behavior in inelastic regime were elucidated.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sorokin P.B., Kvashnin A.G., Kvashnin D.G., Filicheva J.A., Avramov P. V., Chernozatonskii L.A., Fedorov A. S.
Заглавие : Theoretical Study of Atomic Structure and Elastic Properties of Branched Silicon Nanowires
Место публикации : ACS Nano. - 2010. - Vol. 4, Is. 5. - P.2784-2790. - MAY. - ISSN 1936-0851, DOI 10.1021/nn9018027
Примечания : Cited Reference Count: 28. - Гранты: P.B.S. acknowledges partial support by the National Science Foundation grant CMMI-0708096, NIRT. L.A.C. was supported by the Russian Academy of Sciences, program No. 21. P.V.A. and P.B.S. also acknowledge the collaborative RFBR-JSPS Grant No. 09-02-92107-Phi. All calculations have been performed on the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences. The geometry of all presented structures was visualized by ChemCraft software.Финансирующая организация: National Science Foundation [CMMI-0708096]; NIRT; Russian Academy of Sciences [21]; RFBR-JSPS [09-02-92107-Phi]
Предметные рубрики: ELECTRONIC-PROPERTIES
BUILDING-BLOCKS
NANOCRYSTALS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon nanowires--elastic properties--molecular mechanics--tersoff potential--elastic properties--molecular mechanics--silicon nanowires--tersoff potential--atomic structure--branch length--elastic properties--interatomic potential--silicon nanowires--tersoff potential--theoretical study--young modulus--carbon nanotubes--elasticity--molecular mechanics--nanowires--stiffness--crystal atomic structure--nanowire--silicon--article--chemical structure--chemistry--conformation--elasticity--mechanical stress--young modulus--elastic modulus--elasticity--models, molecular--molecular conformation--nanowires--silicon--stress, mechanical
Аннотация: The atomic structure and elastic properties of Y-shaped silicon nanowires of "fork"- and "bough"-types were theoretically studied, and effective Young moduli were calculated using Tersoff interatomic potential. The oscillation of fork Y-type branched nanowires with various branch lengths and diameters was studied. In the final stages of the bending, the formation of new bonds between different parts of the wires was observed. It was found that the stiffness of the nanowires is comparable with the stiffness of Y-shaped carbon nanotubes.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties
Место публикации : J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P.65-69. - ISSN 10274510 (ISSN), DOI 10.1134/S1027451021010109
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zlotnikov A. O., Aksenov S. V., Shustin M. S.
Заглавие : Spin-orbit coupling-induced effective interactions in superconducting nanowires in the strong correlation regime
Коллективы : Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [19-02-00348, 20-3270059]; Krasnoyarsk Territorial Foundation [19-42-240011, 18-42240014]; Government of the Krasnoyarsk Territory; Presidium of the Russian Academy of SciencesRussian Academy of Sciences [I.12]; Council for Grants of the President of the Russian Federation [MK-1641.2020.2]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62, Is. 9. - P.1612-1618. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783420090371. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 24. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 19-02-00348 and 20-3270059, the Government of the Krasnoyarsk Territory and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activity, projects nos. 19-42-240011 and 18-42240014 "Single-Orbit Effective Model of an Ensemble of Spin-Polaron Quasiparticles in the Problem of Describing the Intermediate State and Pseudogap Behavior of Cuprate Superconductors,"and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program I.12 "Fundamental Problems of High-Temperature Superconductivity." S.V.A. thanks the Council for Grants of the President of the Russian Federation for Governmental Support of Young Russian Scientists, project no. MK-1641.2020.2
Аннотация: In the second order of the operator form of the perturbation theory, the effective interactions in a superconducting nanowire have been obtained at the strong electron correlations, when the spin-orbit coupling parameter is comparable with the hopping integral. Using the exact diagonalization technique, in short nanowires with the open boundary conditions at the strong Coulomb repulsion, the excitations corresponding to the Majorana edge states with the energy below the value of a bulk superconducting gap have been demonstrated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Bondarev I. A., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Matsynin A. A., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Silicon nanowire field-effect transistors. Technology and characterization
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов, Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Дальневосточный федеральный университет
Место публикации : Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2018. - P.111
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Silicon nanowire based biosensor for detection of organic molecules
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.4-5
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ivanov A. A., Orlov V. A.
Заглавие : Self-organization of the magnetization in ferromagnetic nanowires
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН , RFBR [14-02-00238-a]
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science, 2017. - Vol. 440. - P.217-220. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.053. - ISSN 1873-4766(eISSN)
Примечания : Cited References:21. - This study was supported by RFBR, Project no. 14-02-00238-a
Предметные рубрики: SYSTEM
ANISOTROPY
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): domain wall--nanowire--magnetic inhomogeneities--stochastic domains
Аннотация: In this work we demonstrate the occurrence of the characteristic spatial scale in the distribution of magnetization unrelated to the domain wall or crystallite size with using computer simulation of magnetization in a polycrystalline ferromagnetic nanowire. This is the stochastic domain size. We show that this length is included in the spectral density of the pinning force of domain wall on inhomogeneities of the crystallographic anisotropy. The constant and distribution of easy axes directions of the effective anisotropy of stochastic domain, are analytically calculated.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Shanidze, Lev V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Krasitskaya, Vasilisa V., Kichkailo, Anna S., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on Schottky barrier nanowire field effect transistor
Место публикации : Talanta. - 2022. - Vol. 239. - Ст.123092. - ISSN 0039-9140 (ISSN), DOI 10.1016/j.talanta.2021.123092. - ISSN 1873-3573 (eISSN)
Примечания : Cited References: 44. - The reported study was funded by RFBR according to the research project № 20-32-90134. The authors thank RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013) and the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) for financial support. Electron microscopy investigations were conducted with the help of equipment of the Krasnoyarsk Territorial Shared Resource Center, Krasnoyarsk Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Аннотация: A top-down nanofabrication approach involving molecular beam epitaxy and electron beam lithography was used to obtain silicon nanowire-based back gate field-effect transistors with Schottky contacts on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The resulting device is applied in biomolecular detection based on the changes in the drain-source current (IDS). In this context, we have explained the physical mechanisms of charge carrier transport in the nanowire using energy band diagrams and numerical 2D simulations in TCAD. The results of the experiment and numerical modeling matched well and may be used to develop novel types of nanowire-based biosensors.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Krasitskaya V. V., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on nanowire field effect transistor
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VII.31.03p. - P.195. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие