Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=interface<.>)
Общее количество найденных документов : 89
Показаны документы с 1 по 20
1.


   
    Morphology and structure of the interface layers in Ni-Ge thin films [Текст] / Yu. E. Greben'kova // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P167 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Greben'kova, Yu.E.; Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Chernichenko, A. V.; Черниченко, Ангелина Виталиевна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Yakunin, S. N.; Якунин С.Н.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
2.


   
    Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства / Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 7. - P. 1405-1411. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле. Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00972 и 11-02-00675; синхротронные исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования "Курчатовский центр синхротронного излучения и нанотехнологий" в рамках государственного контракта N 16.552.11.7003.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Ni-Ge nanostructures: Role of the interface and the magnetic properties // Physics of the Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 54, Is. 7. - P.1494-1500. - ISSN 1063-7834

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova, Yu.E.; Черниченко, Ангелина Виталиевна; Chernichenko, A.V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Мухамеджанов, Э. Х.; Зубавичус, Я. В.; Черков, А. К.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G.S.
}
Найти похожие
3.


   
    Особенности структуры и свойств нанопленок β-FeSi[[d]]2[[/d]] и интерфейса β-FeSi[[d]]2[[/d]] /Si / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 1. - С. 23-28 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной, геометрической и магнитной структуры нанопленок β -фазы дисилицида железа FeSi 2 с поверхностями (001), (100) и (010). Обнаружена существенная реконструкция поверхности (001), заканчивающейся атомами кремния, сопровождающаяся повышением симметрии поверхности и возникновением “квадратов” из атомов кремния. На основе анализа плотности электронных состояний (DOS), а также спиновой DOS, спроектированной по вкладам слоев атомов (LSDOS), вычислено, что все пластины обладают металлическими свойствами. При этом основной вклад вблизи уровня Ферми вносят поверхностные слои железа, причем он быстро убывает при продвижения в глубь пластины. Из анализа вычисленных эффективных магнитных моментов атомов обнаружено, что поверхностные слои в пластинах обладают существенным магнитным моментом, особенно слои железа на поверхности (001) (1.89μ В /атом), причем моменты атомов быстро спадают по мере удаления их от поверхности. Исследованы электронная и геометрическая области интерфейса (001)Si/FeSi 2 . На основе анализа LSDOS показано, что в данной области также реализуется поверхностное проводящее состояние, определяемое в основном вкладом от слоев приповерхностного силицида. Продемонстрирована возможность образования совершенной и резкой области перехода Si/FeSi 2 .

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 1. - P.20-24. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Кожевникова, Т. А.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Галкин, Н. Г.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Саранин, А. А.; Латышев, А. В.
}
Найти похожие
4.


   
    Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface / A. S. Fedorov [и др.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 1. - P. 20-24 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: The electronic, geometric, and magnetic structure of nanofilms of the β phase of iron disilicide FeSi2 with the (001), (100), and (010) surfaces have been simulated through density functional calculations. A substantial reconstruction of the (001) surface terminated with silicon atoms has been observed, which was accompanied by an increase in the surface symmetry and appearance of “squares” of silicon atoms. Analysis of the electron density of states (DOS) and spin DOS projected on the contributions of layers of atoms (LSDOS) indicates that all plates have metallic properties. The main contribution near the Fermi level comes from the surface iron layers and it decreases rapidly with an increase in the distance from the surface of the plate. Analysis of the calculated effective magnetic moments of atoms shows that the surface layers in the plates have a significant magnetic moment, in particular, iron layers on the (001) surface (1.89 μB/atom). The moments of atoms decrease rapidly with an increase in their distance from the surface. The electron and geometric regions of a (001)Si/FeSi2 interface have been studied. Analysis of the LSDOS shows that the surface conducting state mainly determined by the contribution from the near-surface silicide layers is implemented in this region. The possibility of the formation of the perfect and sharp Si/FeSi2 interface has been demonstrated.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Особенности структуры и свойств нанопленок β-FeSi[[d]]2[[/d]] и интерфейса β-FeSi[[d]]2[[/d]] /Si // Письма в Журнал технической физики : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 1. - С. 23-28. - ISSN 0370-274X


Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Kozhevnikova, T. A.; Кожевникова, Т. А.; Eliseeva, N. S.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Galkin, N. G.; Галкин, Н. Г.; Saranin, A. A.; Саранин А.А.; Latyshev, A. V.; Латышев А.В.
}
Найти похожие
5.


   
    Ni-Ge nanostructures: Role of the interface and the magnetic properties / Yu. E. Greben'kova [et al.] // Phys. Solid State. - 2012. - Vol. 54, Is. 7. - P. 1494-1500. - Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 11-02-00675 and 11-02-00972). The synchrotron investigations were performed on equipment of the Center for Collective Use "Kurchatov Center for Synchrotron Radiation and Nanotechnology" (state contract no. 16.552.11.7003). . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
FILMS
   PHASE

   FeGe

Аннотация: The surface morphology and local structure of layers in the Ni-Ge and Ge-Ni-Ge-Ni-Ge films have been investigated. It has been shown that the surface of the films follows the roughnesses of the substrate surface, which have characteristic dimensions of 2–4 nm in height and ∼100 nm in plane. It has been found that an interface with the depth ranging from 9 to 18 nm is formed at the boundaries between the Ni and Ge layers. The data obtained have been used to explain the specific features of the magnetic properties of the studied films, such as the asymmetry of hysteresis loops at low temperatures and the difference between the temperature dependences of the magnetization of the samples for two cooling modes: in a magnetic field and without a magnetic field.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства // Физика твердого тела : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2012. - Т. 54, Вып. 7. - С. 1405-1411. - ISSN 0367-3294


Доп.точки доступа:
Greben'kova, Yu.E.; Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Chernichenko, A. V.; Черниченко, Ангелина Виталиевна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Mukhamedzhanov, E. Kh.; Мухамеджанов Э.Х.; Zubavichus, Y. V.; Зубавичус Я.В.; Cherkov, A. K.; Черков А.К.; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович
}
Найти похожие
6.


    Ветров, Степан Яковлевич.
    Оптические таммовские состояния на границе фотонного кристалла и нанокомпозита c резонансной дисперсией / С. Я. Ветров [и др.] // Журн. эксперимент. и теор. физ. - 2013. - Т. 144, Вып. 6. - С. 1129-1139DOI 10.7868/S004445101312002X
Аннотация: Исследуются оптические таммовские состояния, локализованные на краях фотонного кристалла, ограниченного с одной или обеих сторон нанокомпозитом. Нанокомпозит состоит из диспергированных в прозрачной матрице металлических наноразмерных включений сферической или ориентационно-упорядоченной сфероидальной формы и характеризуется эффективной резонансной диэлектрической проницаемостью. Решена задача расчета спектра пропускания, отражения и поглощения волн продольной и поперечной поляризаций подобных структур при нормальном падении света. Изучено спектральное проявление таммовских состояний, обусловленное наличием отрицательных значений вещественной части эффективной диэлектрической проницаемости для частот видимой области спектра. Установлена существенная зависимость характеристик локализованных на краю фотонного кристалла таммовских состояний от концентрации наношаров в пленке нанокомпозита и от ее толщины. Исследованы моды, образованные двумя связанными таммовскими плазмон-поляритонами, локализованными на границах фотонного кристалла, сопряженного с двумя слоями нанокомпозита. Показано, что в случае анизотропного нанокомпозитного слоя, сопряженного с фотонным кристаллом, каждой из двух ортогональных поляризаций падающей волны отвечает своя частота локализованного на границе таммовского состояния, что делает спектры пропускания такой структуры поляризационно-чувствительными.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Optical Tamm states at the interface between a photonic crystal and a nanocomposite with resonance dispersion. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бикбаев, Рашид Гельмединович; Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Vetrov S.Y.
}
Найти похожие
7.


   
    Morphological and compositional study at the Si/Fe interface of (Fe/Si) multilayer / L. Badia-Romano [et al.] // SPIN. - 2014. - Vol. 4, № 1. - P. 1440002DOI 10.1142/S2010324714400025
Кл.слова (ненормированные):
Fe-Si interlayer -- magnetic nanostructures -- Fe silicides -- reflectivity -- conversion electron Möossbauer spectroscopy
Аннотация: Diffusion and reaction of elements at the interfaces of nanostructured systems play an important role in controlling their physical and chemical properties for subsequent applications. (Fe/Si) nanolayers were prepared by thermal evaporation under ultrahigh vacuum onto a Si(100) substrate. A morphological characterization of these films was performed by combination of scanning transmission electron microscopy (STEM) and X-ray reflectivity (XRR). The compositional depth profile of the (Fe/Si) structures was obtained by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS) and hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES). Moreover, determination of the stable phases formed at the Si on Fe interfaces was performed using conversion electron Mössbauer spectroscopy. The Si/Fe interface thickness and roughness were determined to be 1.4 nm and 0.6 nm, respectively. A large fraction of the interface is composed of c-Fe1-xSi paramagnetic phase, though a minoritary ferromagnetic Fe rich silicide phase is also present.

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Badía-Romano, L.; Rubin, J.; Bartolomé, F.; Bartolome, J.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Magen, C.; Rubio-Zuazo, J.; Castro, G. R.
}
Найти похожие
8.


    Vetrov, S. Y.
    Optical Tamm states at the interface between a photonic crystal and a nanocomposite with resonance dispersion / S. Y. Vetrov, R. G. Bikbaev, I. V. Timofeev // J. Exp. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 117, Is. 6. - P. 988-998, DOI 10.1134/S1063776113140185. - Cited References: 28. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.V37.21.0730, federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia"); by the Presidium of the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project no. 24.29); by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (contract no. 14V37.21.0730); by the Division of Physical Sciences, Russian Academy of Sciences (project no. Sh.9.5); by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project nos. 24.29 and 24.31); and by the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project nos. 43 and 101). . - ISSN 1063-7761. - ISSN 1090-6509
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
LIGHT
   TRANSMISSION

   MEDIA

   LAYER

Аннотация: Optical Tamm states localized at the edges of a photonic crystal bounded from one or both sides by a nanocomposite have been studied. The nanocomposite consists of metallic nanoinclusions, which have a spherical or orientationally ordered spheroidal shape and are dispersed in a transparent matrix, and is characterized by the resonant effective permittivity. The transmission, reflection, and absorption spectra have been calculated for waves with longitudinal and transverse polarizations in such structures at the normal incidence of light. The spectral manifestation of Tamm states that is due to the existence of negative values of the real part of the effective permittivity has been analyzed for the visible spectral range. It has been established that the characteristics of Tamm states localized at the edge of the photonic crystal depend strongly both on the concentration of nanoballs in the nanocomposite film and on its thickness. Modes formed by two coupled Tamm plasmon polaritons localized at the edges of the photonic crystal adjacent to two nanocomposite layers have been examined. It has been shown that, in the case of the anisotropic nanocomposite layer adjacent to the photonic crystal, each of two orthogonal polarizations of the incident wave corresponds to a specific frequency of the Tamm state localized at the edge; owing to this property, the transmission spectra of such a structure are polarization sensitive.

WOS,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Ветров, Степан Яковлевич. Оптические таммовские состояния на границе фотонного кристалла и нанокомпозита c резонансной дисперсией [Текст] / С. Я. Ветров [и др.] // Журн. эксперимент. и теор. физ. - 2013. - Т. 144 Вып. 6. - С. 1129-1139

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Bikbaev, R. G.; Timofeev, I. V.; Тимофеев, Иван Владимирович; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.V37.21.0730, 14V37.21.0730]; Presidium of the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [24.29]; Division of Physical Sciences, Russian Academy of Sciences [Sh.9.5]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [24.29, 24.31]; Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [43, 101]
}
Найти похожие
9.


   
    Electrically controlled local Frédericksz transition in a layer of a nematic liquid crystal / V. S. Sutormin [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 8. - P. 511-516, DOI 10.1134/S0021364012200131. - Cited References: 18. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 12-03-00816, 12-02-31613, and 12-03-31144); by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project nos. 24.29 and 24.32); by the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project nos. 30 and 101); and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.V37.21.0730, federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia"). . - ISSN 0021-3640
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ANCHORING TRANSITIONS
   INTERFACE

   ORIENTATION

   SURFACES

Аннотация: A local Frédericksz transition caused by electrically controlled surface anchoring in a nematic liquid crystal has been implemented owing to the displacement of surface-active ions. In the initial case, the nematic is homeotropically aligned by monomolecular layers of cetyltrimethylammonium bromide cations adsorbed on the surface of substrates. One of the substrates in a static electric field becomes free of a cation layer and specifies planar boundary conditions; as a result, a homeoplanar orientation structure is formed. The features of the dynamics of the optical response of the cell under study that are characteristic of the effect under consideration are discussed.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Электроуправляемый локальный переход Фредерикса в слое нематического жидкого кристалла [Текст] / В. С. Сутормин [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 96 Вып. 7-8. - С. 562-567

Держатели документа:
[Sutormin, V. S.
Krakhalev, M. N.
Prishchepa, O. O.
Zyryanov, V. Ya.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Zyryanov, V. Ya.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Sutormin, V. S.; Сутормин, Виталий Сергеевич; Крахалев, Михаил Николаевич; Krakhalev, M. N.; Prishchepa, O. O.; Прищепа, Оксана Олеговна; Zyryanov, V. Ya.; Зырянов, Виктор Яковлевич
}
Найти похожие
10.


   
    Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin / O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P. 12-16, DOI 10.1134/S1063785012010154. - Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project). . - ISSN 1063-7850
Рубрики:
Pd
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов [Текст] / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 38 Вып. 1. - С. 27-36

Держатели документа:
[Tereshchenko, O. E.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Rzhanov Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Boreskov Inst Catalysis, Novosibirsk 644053, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Tereshchenko, O. E.; Paulish, A. G.; Neklyudova, M. A.; Shamirzaev, T. S.; Yaroshevich, A. S.; Prosvirin, I. P.; Zhaksylykova, I. E.; Dmitriev, D. V.; Toropov, A. I.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Latyshev, A. V.
}
Найти похожие
11.


   
    The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier / N. V. Volkov [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст. 222406, DOI 10.1063/1.4881715. - Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043. . - ISSN 0003-6951. - ISSN 1077-3118
РУБ Physics, Applied
Рубрики:
MAGNETO-IMPEDANCE
   FILMS

Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia
Far Eastern Fed Univ, Sch Nat Sci, Vladivostok 690950, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Balashov, V. V.; Korobtsov, V .V.; Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
}
Найти похожие
12.


   
    Morphology and structure of the interface layers in Ni/Ge thin films / Y. E. Greben'kova [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 259-263, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.259. - Cited References: 17 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Exchange interaction -- Interface structure -- Magnetic properties -- Magneto - hard layer -- Magneto - soft layer -- Ni/Ge layer structures
Аннотация: Morphology and structure of the interface in Ni/Ge thin films being due to the mutual diffusion of these elements are investigated with the help of atomic force microscope, high resolution electron microscope and micro-diffraction. Strong effect of interface in magnetic behavior of Ni layers is demonstrated and explained by formation of magnetic order in the interface and rough boundaries between layers. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Greben'kova, Y. E.; Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Chernichenko, A. V.; Черниченко, Ангелина Виталиевна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
13.


   
    Magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films / G. S. Patrin [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 348-351, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.348. - Cited References: 8 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Bilayer structure ferromagnetic metal/semiconductor -- Cobalt -- Coercivity -- Germanium interface -- Magnetization -- Magnetoresistance -- Schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of Co/Ge bilayer films are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interface an intermediate magnetic layer forms. This layer affects the magnetic behavior and magnetoresistive effect in the investigated structures. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.


Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Alekseichik, E. A.; Алексейчик, Е. А.; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
14.


   
    Analysis of the structure and magnetic properties of an interface in multilayered (Fe/Si) N nanostructures with the surface-sensitive XMCD method / M. S. Platunov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99, Is. 12. - P. 706-711, DOI 10.1134/S002136401412011X. - Cited References: 26. - We are grateful to S.V. Komogortsev for stimulating discussions and to the management of BESSY II, Helmholtz-Zentrum Berlin, for the opportunity of performing experiments at the UE46-PGM1 beamline. This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265a and 14-02-31051mol-a), by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. NSh- 2886.2014.2), by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (program no. 24.34), and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 02.G25.31.0043 and state task for research at Siberian Federal University in 2014). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
RAY CIRCULAR-DICHROISM
   YIELD

   SPECTRA

   Fe

Аннотация: The structural and magnetic properties of (Fe/Si) N nanostructures obtained by successive deposition on the SiO2/Si(100) surface at a temperature of the substrate of 300 K have been studied. The thicknesses of all Fe and Si layers have been determined by transmission electron microscopy measurements. The magnetic properties have been studied by the X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) method near the Fe L 3, 2 absorption edges. The orbital (m l ) and spin (m S ) contributions to the total magnetic moment of iron have been separated. The thicknesses of magnetic and nonmagnetic iron silicide on the Si/Fe and Fe/Si interfaces have been determined with the surface sensitivity of the XMCD method and the model of the interface between the nonmagnetic and weakened magnetic phases.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Анализ структуры и магнитных свойств интерфейса в многослойных наноструктурах (Fe/Si)N с применением поверхностно-чувствительного метода XMCD [Текст] / М. С. Платунов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99 Вып. 11-12. - С. 817-823

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Helmholtz Zentrum Berlin, BESSY II, D-12489 Berlin, Germany

Доп.точки доступа:
Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Weschke, E.; Schierle, E.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265a, 14-02-31051mol-a]; Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools [NSh- 2886.2014.2]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [24.34]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [02.G25.31.0043]
}
Найти похожие
15.


   
    Peculiarities of the interface in nanostructured Fe/Si AND Mn/Si films [Текст] / S. N. Varnakov [и др.] // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1OR-A-4. - P. 309 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Gomoyunova, M. V.; Grebenyuk, G.S .; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Pronin, I. I.; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; 29 June-3 July ; Moscow); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
}
Найти похожие
16.


   
    Electric and magnetic field-assisted orientational transitions in the ensembles of domains in a nematic liquid crystal on the polymer surface / A. M. Parshin [et al.] // Int. J. Mol. Sci. - 2014. - Vol. 15, Is. 10. - P. 17838-17851, DOI 10.3390/ijms151017838. - Cited References: 21. - This work was partially supported by the Russian Foundation for Basic Research (project No. 12-03-00816), and by the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS) through Grants Nos. 30, 24.29, 24.32, and by SB RAS through a Taiwan-SB-RAS joint project. . - ISSN 1422-0067
РУБ Chemistry, Multidisciplinary
Рубрики:
FRANK CONSTANTS
   INTERFACE

   ALIGNMENT

   DISCLINATIONS

   STABILITY

   COATINGS

   DIRECTOR

Кл.слова (ненормированные):
liquid crystal -- polycarbonate -- domain structure -- electric field -- magnetic field
Аннотация: Using electro- and magneto-optical techniques, we investigated orientational transitions in the ensembles of domains in a nematic liquid crystal on the polycarbonate film surface under the conditions of competing surface forces that favor radial and uniform planar alignment of nematic molecules. Having analyzed field dependences of the intensity of light passed through a sample, we established the threshold character of the orientational effects, plotted the calculated intensity versus magnetic coherence length, and compared the latter with the equilibrium length that characterizes the balance of forces on the polymer surface.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Dept Energy, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Parshin, A. M.; Паршин, Александр Михайлович; Gunyakov, V. A.; Гуняков, Владимир Алексеевич; Zyryanov, V. Ya.; Зырянов, Виктор Яковлевич; Shabanov, V. F.; Шабанов, Василий Филиппович; Russian Foundation for Basic Research [12-03-00816]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (SB RAS) [30, 24.29, 24.32]; SB RAS through a Taiwan-SB-RAS joint project
}
Найти похожие
17.


    Belyaev, B. A.
    Impedance spectroscopy investigation of electrophysical characteristics of the electrode-liquid crystal interface / B. A. Belyaev, N. A. Drokin // Phys. Solid State. - 2015. - Vol. 57, Is. 1. - P. 181-187, DOI 10.1134/S1063783415010060. - Cited References:22. - This study was supported by the Siberian Branch of the Russian Academyof Sciences (integration project no. 109). . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6460. -
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
DIELECTRIC-PROPERTIES
   CONDUCTIVITY

Аннотация: The behavior of frequency dependences of the impedance of a capacitive measuring cell with a liquid crystal has been investigated in the frequency range from 10−1 to 105 Hz. A method for determining electrophysical characteristics of the liquid crystal in the bulk and at the liquid crystal-metal electrode interface has been proposed and tested for liquid crystals of the alkyl cyanobiphenyl series, which are doped with ionic surfactants. The method is based on the use of an equivalent electrical circuit, which makes it possible to approximate the impedance spectra with the required accuracy, and also on the determination of the frequency at the singular point in the impedance spectra, at which the reactive component of the electric current flowing through the liquid-crystal cell is negligible compared to the active component.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Беляев, Борис Афанасьевич. Исследование электрофизических характеристик границы электрод–жидкий кристалл методом импедансной спектроскопии [Текст] / Б. А. Беляев, Н. А. Дрокин // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2015. - Т. 57 Вып. 1. - С. 170-175

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Drokin, N. A.; Дрокин, Николай Александрович; Беляев, Борис Афанасьевич; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [109]
}
Найти похожие
18.


   
    Magnetic and magnetoresistance properties of (Co/Ge)n films / G. S. Patrin [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P. 423-426, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.423 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-038
   Перевод заглавия: Магнитные и магниторезистивные свойства (Co/Ge)_n пленок
Рубрики:
Achievements in magnetism
   Spintronics and magnetotransport

Кл.слова (ненормированные):
bilayer structure magnetization -- cobalt -- coercivity -- ferromagnetic metal/semiconductor films -- germanium interface -- magnetoresistance -- schottky barrier
Аннотация: The magnetic and electrical properties of (Co/Ge)nfilms are experimentally studied. It is established that at the Co/Ge interfacean intermediate magnetic layer forms. Twophases of cobalt, one is a face-centered cubic phase and the other ispresumably a Co–Ge alloy with a weakly ferromagnetic order, have been found toexist. A “dead” layer no more than 2 nm in thickness is formed at the interface.This layer affects the magnetic behavior andmagnetoresistive effect in the investigated structures.

Смотреть статью,
Материалы конференции,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Perov, N. \ed.\; Semisalova, A. \ed.\; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Marushchenko, E. A.; Марущенко, Е. А.; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Maltsev, V. K.; Мальцев, Вадим Константинович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
}
Найти похожие
19.


    Belyaev, B. A.
    Diffraction of electromagnetic waves on a one-dimensional strip conductor grating located at the interface between dielectric media / A. Belyaev, V. V. Tyurnev // Russ. Phys. J. - 2015. - Vol. 58, Is. 5. - P. 646-657, DOI 10.1007/s11182-015-0546-1. - Cited References:17. - This work was supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Agreement No. 14.607.21.0039). . - ISSN 1064-8887. - ISSN 1573-9228
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
TRANSMISSION COEFFICIENTS
   MULTILAYER STRUCTURE

   BANDPASS-FILTERS

   REFLECTION

Кл.слова (ненормированные):
electromagnetic waves -- dielectric layers -- strip conductors -- diffraction
Аннотация: Analytical formulas are derived for the transmission and reflection coefficients of electromagnetic E- and H-waves incident at an arbitrary angle on a one-dimensional strip conductor grating located at the interface between two dielectric media. The feasibility of adjusting the grating reflectivity within wide limits by varying its design parameters is demonstrated, which allows these structures to be used in multilayered dielectric bandpass filters.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Беляев, Борис Афанасьевич. Дифракция электромагнитных волн на одномерной решетке полосковых проводников, расположенной на границе раздела диэлектрических сред [Текст] / Б. А. Беляев, В. В. Тюрнев // Изв. вузов. Физика : Томский государственный университет, 2015. - Т. 58 № 5. - С. 57-66

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia.
MF Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk, Russia.

Доп.точки доступа:
Tyurnev, V. V.; Тюрнев, Владимир Вениаминович; Беляев, Борис Афанасьевич; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.607.21.0039]
}
Найти похожие
20.


   
    Magnetic properties, morphology and interfaces of (Fe/Si)n nanostructures / Bartolome J. [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2016. - Vol. 400. - P. 271-275, DOI 10.1016/j.jmmm.2015.07.046. - Cited References: 43. - The financial support of the Spanish MINECOMAT2011-23791 and MAT2015-53921-R, Aragonese DGA-IMANAE34 (cofounded by Fondo Social Europeo) and European FEDER funds is acknowledged. Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), RFBR (Grant no. 13-02-01265), the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (State contract no. 02.G25.31.0043 and State task no. 16.663.2014К) . - ISSN 0304-8853
РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
INTERLAYER EXCHANGE
   Fe/Si(100) INTERFACE

   SILICIDE FORMATION

   ULTRAHIGH-VACUUM

   FILMS

   IRON

   MAGNETORESISTANCE

   SUPERLATTICES

   SPECTROSCOPY

   DEPOSITION

Аннотация: A systematic study of the iron–silicon interfaces formed upon preparation of (Fe/Si) multilayers has been performed by the combination of modern and powerful techniques. Samples were prepared by molecular beam epitaxy under ultrahigh vacuum onto Si wafers or single crystalline Ag(100) buffer layers grown on GaAs(100). The morphology of these films and their interfaces was studied by a combination of scanning transmission electron microscopy, X-ray reflectivity, angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy and hard X-ray photoelectron spectroscopy. The Si-on-Fe interface thickness and roughness were determined to be 1.4(1) nm and 0.6(1) nm, respectively. Moreover, determination of the stable phases formed at both Fe-on-Si and Si-on-Fe interfaces was performed using conversion electron Mössbauer spectroscopy on multilayers with well separated Si-on-Fe and Fe-on-Si interfaces. It is shown that while a fraction of Fe remains as α-Fe, the rest has reacted with Si, forming the paramagnetic FeSi phase and a ferromagnetic Fe rich silicide. We conclude that there is an identical paramagnetic c-Fe1−xSi silicide sublayer in both Si-on-Fe and Fe-on-Si interfaces, whereas an asymmetry is revealed in the composition of the ferromagnetic silicide sublayer.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Bartolome, J.; Badía-Romano, L.; Rubin J.; Bartolome F.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Burgler D.E.; International Conference on Magnetism(20 ; 2015 ; Jul ; 5-10 ; Barselona, Spain)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)