Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тарасов, Антон Сергеевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 186
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Еремин, Евгений Владимирович, Тарасов, Антон Сергеевич, Цикалов, Виталий Сергеевич
Заглавие : Особенности спин-зависимого электронного транспорта в наноструктурах с чередующимися магнитными и немагнитными слоями в геометрии "ток в плоскости" : Глава 6
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения РАН
Место публикации : Метаматериалы и структурно организованные среды для оптоэлектроники, СВЧ-техники и нанофотоники/ А. Ю. Авдеева ; отв. ред.: В. Ф. Шабанов, В. Я. Зырянов ; рец.: Г. Г. Матвиенко, В. В. Слабко, Н. Я. Шапарев. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013. - С. 121-146. - (Шифр В37/М 54-027175)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37 рукописный текст
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11
Выходные данные : Красноярск, 2013
Колич.характеристики :22 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.37
Смотреть автореферат
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 19 рукописный текст
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11
Выходные данные : Красноярск, 2013
Колич.характеристики :124 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 80 назв.
ГРНТИ : 29.19.37
ББК : В373.3я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Rautskiy M. V., Zelenov F. V., Konovalov S. O., Nemtsev I. V., Voloshin A. S., Tarasov I. A., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Cu-doped TiNxOy thin film resistors DC/RF performance and reliability
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Appl. Sci. - 2021. - Vol. 11, Is. 16. - Ст.7498. - ISSN 2076-3417(eISSN), DOI 10.3390/app11167498
Примечания : Cited References: 13. - This research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project code 20-42-240013 and by Grant of the Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories (contract No. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: GROWTH
Аннотация: We fabricated Cu-doped TiNxOy thin film resistors by using atomic layer deposition, optical lithography, dry etching, Ti/Cu/Ti/Au e-beam evaporation and lift-off processes. The results of the measurements of the resistance temperature dependence, non-linearity, S-parameters at 0.01–26 GHz and details of the breakdown mechanism under high-voltage stress are reported. The devices’ sheet resistance is 220 ± 8 Ω/□ (480 ± 20 µΩ*cm); intrinsic resistance temperature coefficient (TCR) is ~400 ppm/°C in the T-range of 10–300 K; and S-parameters versus frequency are flat up to 2 GHz with maximum variation of 10% at 26 GHz. The resistors can sustain power and current densities up to ~5 kW*cm−2 and ~2 MA*cm−2, above which they switch to high-resistance state with the sheet resistance equal to ~200 kΩ/□ (~0.4 Ω*cm) caused by nitrogen and copper desorption from TiNxOy film. The Cu/Ti/TiNxOy contact is prone to ageing due to gradual titanium oxidation while the TiNxOy resistor body is stable. The resistors have strong potential for applications in high-frequency integrated and hybrid circuits that require small-footprint, medium-range resistors of 0.05–10 kΩ, with small TCR and high-power handling capability.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Tarasov A. S., Shevtsov D. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Farle M.
Заглавие : Features of MagMAX thin film deposition techniques
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.14
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Draganyuk O. N., Zhandun V. S.
Заглавие : Magnetic, electronic, optical and elastic properties of magnetic (MnxFe1-x)2 (GayAl1-y)C MAX phases
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.19
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Ovchinnikov S. G., Maximova O. A., Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Effect of interfaces in the multilayer structures on the electronic states
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.15
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2747433!-279377161
Автор(ы) : Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович, Немцев, Иван Васильевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Способ получения гибридных нанокристаллов Au 3 Fe 1-x /Fe и интерметаллических нанокристаллов Au 3 Fe 1-x с контролируемым латеральным размером .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к технологиям получения материалов нанометрового размера, состоящих из биметаллических гибридных нанокристаллов Au3Fe1-x/Fe и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером и может применяться в биомедицине, информационных технологиях и катализе. Способ получения гибридных нанокристалллов Au3Fe1-x/Fe и интерметаллических нанокристаллов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером характеризуется тем, что на предварительно подготовленную поверхность аморфного оксида осаждают методом термического испарения в сверхвысоком вакууме в камере молекулярно-лучевой эпитаксии слой золота при температуре 250°С, затем осаждают слой железа на поверхность аморфного оксида, активированную золотом при температуре 750°С, причем атомное соотношение золота к железу изменяется от более 0 до 3,22. Технический результат состоит в возможности контролируемого изменения латерального размера получаемых биметаллических гибридных Au3Fe1-x/Fe нанокристаллов и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x за счет изменения количества атомов Au, предварительно осажденных на аморфную оксидную поверхность при одинаковом количестве осажденных атомов.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Alekseenko I. V.
Заглавие : Research of the influence of magnetic field on the lateral photovoltaic effect in hybrid structure with shottky barrier
Коллективы : "Современные проблемы радиоэлектроники", всероссийская научно-техническая конференция, посвященная 123-й годовщине Дня радио, Сибирский федеральный университет
Место публикации : Соврем. проблемы радиоэлектроники: сб. науч. трудов : электронное издание/ ред. А. И. Громыко. - Красноярск: СФУ, 2018. - С. 505-509. - ISBN 978-5-7638-3902-9
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: In this paper, we report the dependence of the lateral photovoltaic effect on the temperature, power of optical radiation in magnetic fields of 0.9 T for different polarities in the hybrid structure Fe/SiO2/p-Si. It was found that the presence of a Schottky barrier in the structure plays a decisive role in the mechanisms of the appearance of lateral photovoltage.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Bondarev M. A., Nikolskaya A. A., Vasiliev V. K., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect
Место публикации : Mater. Sci. Semicond. Process. - 2021. - Vol. 126. - Ст.105663. - ISSN 13698001 (ISSN), DOI 10.1016/j.mssp.2021.105663
Примечания : Cited References: 21. - This study was supported by the Government of the Russian Federation , Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886)
Аннотация: A silicon structure doped with Ga using ion implantation has been investigated by admittance spectroscopy. It has been established that the presence of the Ga impurity, along with the B one, in the silicon structure leads to the appearance of the second peak in the temperature dependence of the real part of the impedance (admittance). Moreover, switching-on a magnetic field parallel to the sample plane shifts the singularities in the temperature curve to the high-temperature region. This results in the manifestation of both the positive and negative magnetoresistance effect upon temperature and magnetic field variation. It has been found by the standard admittance spectroscopy analysis of the impedance data that the energy structure of the investigated sample includes two interfacial energy levels ES1(0) = 42 meV and ES2(0) = 69.4 meV. As expected, these energies are consistent with the energies of B and Ga dopants. In a magnetic field, these levels increase by 3 meV for B and 2 meV for Ga, which induces the magnetoresistance effect. It has been demonstrated that the interfacial state-induced magnetoresistance effect can be tuned by ion implantation and dopant selection.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties
Место публикации : J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P.65-69. - ISSN 10274510 (ISSN), DOI 10.1134/S1027451021010109
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Mikhlin, Yurii L., Molokeev M. S., Rautskiy M. V., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Shanidze L. V., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Konovalov, Stepan O., Zelenov, Fyodor, V, Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Structural, optical, and electronic properties of Cu-doped TiNxOy grown by ammonothermal atomic layer deposition
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2021. - Vol. 13, Is. 27. - P.32531-32541. - ISSN 1944-8244, DOI 10.1021/acsami.1c08036. - ISSN 1944-8252(eISSN)
Примечания : Cited References: 69. - This research was funded by the RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (project code 20-42-240013) and by the grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories (contract no. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: OXYNITRIDE THIN-FILMS
TITANIUM-NITRIDE
CONFORMAL TIN
Аннотация: Copper-doped titanium oxynitride (TiNxOy) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) using the TiCl4 precursor, NH3, and O2 at 420 °C. Forming gas was used to reduce the background oxygen concentration and to transfer the copper atoms in an ALD chamber prior to the growth initiation of Cu-doped TiNxOy. Such forming gas-mediated Cu-doping of TiNxOy films had a pronounced effect on their resistivity, which dropped from 484 ± 8 to 202 ± 4 μΩ cm, and also on the resistance temperature coefficient (TCR), which decreased from 1000 to 150 ppm °C–1. We explored physical mechanisms causing this reduction by performing comparative analysis of atomic force microscopy, X-ray photoemission spectroscopy, X-ray diffraction, optical spectra, low-temperature transport, and Hall measurement data for the samples grown with and without forming gas doping. The difference in the oxygen concentration between the films did not exceed 6%. Copper segregated to the TiNxOy surface where its concentration reached 0.72%, but its penetration depth was less than 10 nm. Pronounced effects of the copper doping by forming gas included the TiNxOy film crystallite average size decrease from 57–59 to 32–34 nm, considerably finer surface granularity, electron concentration increase from 2.2(3) × 1022 to 3.5(1) × 1022 cm–3, and the electron mobility improvement from 0.56(4) to 0.92(2) cm2 V–1 s–1. The DC resistivity versus temperature R(T) measurements from 4.2 to 300 K showed a Cu-induced phase transition from a disordered to semimetallic state. The resistivity of Cu-doped TiNxOy films decreased with the temperature increase at low temperatures and reached the minimum near T = 50 K revealing signatures of the quantum interference effects similar to 2D Cu thin films, and then, semimetallic behavior was observed at higher temperatures. In TiNxOy films grown without forming gas, the resistivity decreased with the temperature increase as R(T) = – 1.88T0.6 + 604 μΩ cm with no semimetallic behavior observed. The medium range resistivity and low TCR of Cu-doped TiNxOy make this material an attractive choice for improved matching resistors in RF analog circuits and Si complementary metal–oxide–semiconductor integrated circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Волочаев, Михаил Николаевич, Зеленов Ф. В., Яковлев, Иван Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022)
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Shubin A., Olshevskaya J., Kovaleva A., Tomilin F. N.
Заглавие : Choice of the DFT functional for calculation electronic properties of (CrFe)SiC MAX phases
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.47
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Shevtsov D. V., Lyashchenko S. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Tarasov I. A., Maximova O. A.
Заглавие : UHV system for producing and studying of MAX phases by in situ spectral magneto-optical ellipsometry in a wide temperature range
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.45
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Olshevskaya J., Shubin A., Kovaleva A., Tomilin F. N.
Заглавие : The effect of iron substitution on the structure and electronic properties of Cr2SiC by theoretical method
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.42
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tetelbaum D., Nikolskaya A., Dorokhin M., Vasiliev V., Smolyakov D. A., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Tarasov A. S.
Заглавие : Implanted gallium impurity detection in silicon by impedance spectroscopy
Место публикации : Mater. Lett. - 2022. - Vol. 308, Part B. - Ст.131244. - ISSN 0167577X (ISSN), DOI 10.1016/j.matlet.2021.131244
Примечания : Cited References: 11. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (grant No. 20-42-243007), Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project No. 075-03-2020-191/5), as well as the Government of the Russian Federation within the framework of the Megagrant for the creation of world-class laboratories (No. 075-15-2019-1886)
Аннотация: The results of determining the energy levels of boron-doped silicon implanted with gallium ions by impedance spectroscopy are reported. In the as-implanted sample the boron level remains the same and a second level appears close to the Ga-level reported in literature. In the sample annealed at 1000 °C, two levels are observed neither of which corresponds to the literature values for boron and gallium. It is assumed that in the as-implanted sample this method detects levels of gallium atoms located at a depth where ions penetrate due to the channeling effect, since a large concentration of defects at shallower depths does not allow detection of energy levels due to the Fermi level pinning. Explaining the results for the sample annealed after implantation requires additional research. The main result of this work is to establish the possibility of detecting impurity levels in ion-implanted silicon by impedance spectroscopy even in the absence of subsequent annealing.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Shanidze, Lev, Bondarev I. A., Baron F. A., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст.2100459. - ISSN 1862-6300, DOI 10.1002/pssa.202100459. - ISSN 1862-6319(eISSN)
Примечания : Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886
Предметные рубрики: NANOSTRUCTURES
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tomilin F. N., Kozak V., Ivanova D., Fedorova N., Shubin A.
Заглавие : Structural and electronic properties of the heterostructures based on Me2AlC-phase predicted by quantum chemistry calculations
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.49
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Visotin M. A., Tarasov I. A.
Заглавие : Prediction of Al2O3 substrates’ effect on magnetic properties of Mn2GaC ultrathin films
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.31
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие