Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Яковлев, Иван Александрович$<.>)
Общее количество найденных документов : 175
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Silicon nanowire based biosensor for detection of organic molecules
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.4-5
Материалы конференции
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Modification of optical and magneto-optical response of highly textured Au3Fe1-x/Fe Janus-like nanocrystals grown on amorphous silicon dioxide surface
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics
Место публикации : International workshop on functional MAX-materials (1st FunMax). - 2020. - P.22
Примечания : The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Biocompatible nanostructures fabricated by Dip-Pen nanolithography
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.8-9
Материалы конференции
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties
Место публикации : J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P.65-69. - ISSN 10274510 (ISSN), DOI 10.1134/S1027451021010109
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2713598!-049252649
Автор(ы) : Лященко, Сергей Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич
Заглавие : Способ получения суперпарамагнитных наночастиц на основе силицида железа Fe3Si с модифицированной поверхностью .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 4
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Microsphere lithography for Fe3Si-Au magnetoplasmonic nanostructures
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.V.01.14o. - P.144. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Yakovlev I. A., Belyaev B. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Magnetic properties of Fe3Si synthesized at external magnetic field
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.IV.31.12p. - P.121. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work was supported by the President Program of the RF SP- 375.2019.3 and Krasnoyarsk Regional Fund of Science according to the participation in the event/internship: Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2020).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Velikanov D. A., Mihlin Y.L., Sokolov A. Е., Volochaev M. N., Jarkov S.M., Nemtcev I.V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Lyashchenko S. A.
Заглавие : The Fe-Si-Au magnetic Janus particles for biomedical applications
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VII.31.02p. - P.194. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The TEM and XPS results were obtained by a Hitachi HT7700 transmission electron microscope and a SPECS UNI-SPECS photoelectron spectrometer in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS».
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Microsphere lithography for Fe3Si-Au magnetoplasmonic nanostructures
Коллективы : Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium, Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
Место публикации : Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium (28 ; 2020 ; 28 Sept.-2 Oct. ; Minsk, Belarus). Nanostructures: physics and technology: proc. 28th Int. symp. - 2020. - Ст.NT.15. - P.98-99. - ISBN 978-5-93634-066-6
Примечания : Cited References: 9
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Modification of optical and magneto-optical response of highly textured Au3Fe1-x/Fe Janus-like nanocrystals grown on amorphous silicon dioxide surface
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts. - 2020. - P22
Примечания : The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Волочаев, Михаил Николаевич, Зеленов Ф. В., Яковлев, Иван Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022)
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Shanidze, Lev, Bondarev I. A., Baron F. A., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст.2100459. - ISSN 1862-6300, DOI 10.1002/pssa.202100459. - ISSN 1862-6319(eISSN)
Примечания : Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886
Предметные рубрики: NANOSTRUCTURES
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Овчинников, Сергей Геннадьевич, Максимова, Ольга Александровна, Лященко, Сергей Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Варнаков, Сергей Николаевич
Заглавие : Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла
Место публикации : Письма в ЖЭТФ. - 2021. - Т. 114, Вып. 3. - С. 192-195. - ISSN 0370-274X, DOI 10.31857/S123456782115009X
Примечания : Библиогр.: 13. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда # 21-12-00226, http://rscf.ru/project/21-12-00226/
Аннотация: Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости ε зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора ε при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Maximova O. A., Lyashchenko S. A., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Mikhlin Y., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The magneto-optical Voigt parameter from magneto-optical ellipsometry data for multilayer samples with single ferromagnetic layer
Коллективы : Нанофизика и наноэлектроника, международный симпозиум
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника, международный симпозиум (XXV ; 9-12 марта 2021 ; Нижний Новгород). Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 9. - С.1311. - ISSN 0367-3294
Примечания : The research was supported by the government of the Russian Federation, agreement No. 075-15-2019-1886
Аннотация: Calculations of the magneto-optical Voigt parameter Q were carried out using various models of reflecting media for thin films Fe|SiO2|Si(100) samples using the data of the in situ magneto-ellipsometry. The obtained spectral dependences of Q make it possible to choose the algorithm for the analysis of experimental magneto-ellipsometry data and demonstrate that magneto-optical parameter Q of iron is thickness-dependent.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Яковлев, Иван Александрович
Заглавие : Сравнение магнитной анизотропии поликристаллической и монокристаллической пленок Fe3Si
Место публикации : Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 398-405. - ISSN 2712-8970, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-398-405
Примечания : Библиогр.: 19. - Автор статьи выражает благодарность Беляеву Борису Афанасьевичу (ИФ СО РАН) за проведенные измерения на сканирующем спектрометре ферромагнитного резонанса
Аннотация: Постоянное совершенствование высокотехнологичных приборов требует от науки постоянного развития технологий и поиска новых материалов. На сегодняшний день развитие области магнетизма достигло очень широких знаний, что позволило создать и изучить множество искусственных ферромагнитных материалов, которые уже сейчас активно применяются в науке и технике. Последние научные знания показывают, что один и тот же материал в различном состоянии может проявлять разные электрические, магнитные свойства. Так в современных приборах активно применяются тонкие магнитные пленки. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Пленка – это тонкий слой связанного конденсированного вещества, толщина которого сравнивается с расстоянием действия поверхностных сил; представляет собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы «пленка – подложка». Дальнейшее изучение пленочных структур привело к созданию и исследованию многослойных магнитных систем. В таких структурах возможно присутствие как слоёв различных ферромагнитных материалов, так и неферромагнитных прослоек, а свойства многослойных систем могут значительно отличаться от свойств любого из компонентов системы. Для практики эти материалы также имеют множество применений, в том числе, радиосвязь и геологоразведка. В нашем эксперименте методом молекулярно-лучевой эпитаксии при совместном осаждении Fe и Si синтезированы ферромагнитные тонкие пленки силицида Fe3Si. На подложке SiO2/Si(111) была получена поликристаллическая пленка силицида, а на Si(111)7×7 – монокристаллическая. Структура была исследована с помощью дифракции отраженных быстрых электронов непосредственно в процессе роста. Методом ферромагнитного резонанса была изучена магнитная анизотропия полученных образцов. Установлено, что поликристаллическая пленка характеризуется одноосной магнитной анизотропией, которая составляет 13.42 Э и формируется в следствие «косого» напыления. А магнитная анизотропия для монокристаллической пленки Fe3Si формируется в большей степени внутренними магнитокристаллическими силами.High-tech devices improvement requires development of technology and search for new materials from science. To date, the development of the magnetism research field has reached a very broad knowledge, which made it possible to create and study a variety of artificial ferromagnetic materials, which are already actively used in science and technology. The latest scientific knowledge shows that the same material in different states can exhibit different electrical and magnetic properties. So, thin magnetic films are actively used in modern devices. Physical processes in thin films proceed differently than in bulk materials. As a result, the film elements have characteristics that differ from those of bulk samples and make it possible to observe effects that are not characteristic of bulk samples. A film is a thin layer of a bound condensed substance, the thickness of which is compared with the distance of surface forces action; it is a thermodynamically stable or metastable part of a heterogeneous film-substrate system. Further study of film structures led to the creation and study of multilayer magnetic systems. In such structures, the presence of both various ferromagnetic materials layers and non-ferromagnetic interlayers is possible, and the multilayer systems properties can differ significantly from the properties of any system components. These materials also have many applications for practice, including radio communications and geological exploration. In our experiment, ferromagnetic thin films of Fe3Si silicide were synthesized by molecular beam epitaxy with co-deposition of Fe and Si. A polycrystalline silicide film was obtained on a SiO2/Si(111) substrate, and a single crystal film was on Si(111)7×7. The structure was investigated using the diffraction of reflected fast electrons directly during the growth process. The magnetic anisotropy of the obtained samples was studied by the ferromagnetic resonance. It was found that the polycrystalline film is characterized by uniaxial magnetic anisotropy, which is 13.42 Oe and is formed as a result of “oblique” deposition. And the magnetic anisotropy for a single-crystal Fe3Si film is formed to a greater extent by internal magnetocrystalline forces.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Velikanov D. A., Nemtcev I.V., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Gold-coated Janus-like Fe-Si magnetic nanoparticles for biomedical applications
Коллективы : "Functional materials", International conference, Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского
Место публикации : Ovchinnikov S. G. International conference "Functional materials": book of abstracts/ ed. V. N. Berzhansky ; org. com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - Simferopol, 2021. - P.297
Примечания : Библиогр.: 3 назв.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Tarasov A. S., Shevtsov D. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Farle M.
Заглавие : Features of MagMAX thin film deposition techniques
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.14
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2747433!-279377161
Автор(ы) : Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович, Немцев, Иван Васильевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Способ получения гибридных нанокристаллов Au 3 Fe 1-x /Fe и интерметаллических нанокристаллов Au 3 Fe 1-x с контролируемым латеральным размером .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к технологиям получения материалов нанометрового размера, состоящих из биметаллических гибридных нанокристаллов Au3Fe1-x/Fe и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером и может применяться в биомедицине, информационных технологиях и катализе. Способ получения гибридных нанокристалллов Au3Fe1-x/Fe и интерметаллических нанокристаллов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером характеризуется тем, что на предварительно подготовленную поверхность аморфного оксида осаждают методом термического испарения в сверхвысоком вакууме в камере молекулярно-лучевой эпитаксии слой золота при температуре 250°С, затем осаждают слой железа на поверхность аморфного оксида, активированную золотом при температуре 750°С, причем атомное соотношение золота к железу изменяется от более 0 до 3,22. Технический результат состоит в возможности контролируемого изменения латерального размера получаемых биметаллических гибридных Au3Fe1-x/Fe нанокристаллов и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x за счет изменения количества атомов Au, предварительно осажденных на аморфную оксидную поверхность при одинаковом количестве осажденных атомов.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Ovchinnikov S. G., Maximova O. A., Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Effect of interfaces in the multilayer structures on the electronic states
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity
Место публикации : International workshop on the properties of functional MAX-materials (2nd FunMax): book of abstracts/ org. com. M. Farle [et al.]. - 2021. - P.15
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ovchinnikov S. G., Maximova O. A., Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Role of interfaces in the permittivity tensor of thin layers of a ferromagnetic metal
Место публикации : JETP Letters. - 2021. - Vol. 114, Is. 3. - P.163-165. - ISSN 00213640 (ISSN), DOI 10.1134/S0021364021150066
Примечания : Cited References: 13. - This work was supported by the Russian Science Foundation, project no. 21-12-00226, http://rscf.ru/project/21-12-00226/
Аннотация: It is known from experimental studies that the components of the permittivity tensor ε depend on layer thicknesses of multilayer thin films, and for nanometer layers, it is necessary to additionally consider the interlayer interfaces. This study provides an answer to the question of what is the reason for the influence of these interfaces on film properties. It is shown that the contribution of interband matrix elements for ferromagnetic films with off-diagonal components of the permittivity tensor determines the ratio between the diagonal and off-diagonal components of the tensor ε at a ferromagnetic layer thickness of about 10 nm.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)