Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=doping<.>)

Общее количество найденных документов : 96
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Анисимов Р. И., Колмаков А. А., Темерева А. С., Шараева А. Е., Шандаров С. М., Тимофеев, Иван Владимирович, Пятнов, Максим Владимирович
Заглавие : Анализ распределения меди в кристаллах LiNBO3:Cu с поверхностным легированием
Коллективы : Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Российская академия наук, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Место публикации : XI Международная конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. - Москва, 2022. - С. 451-452. - ISBN 978-5-7262-2842-6
Примечания : Библиогр.:
Предметные рубрики:
Аннотация: Представлены результаты исследований распределения примеси по глубине в структурах, сформированных термической диффузией меди в пластинах X-среза ниобата лития.
РИНЦ,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhandun V. S., Zamkova N. G., Draganyuk O. N.
Заглавие : The arising of ferromagnetism in Al-doped Mn2(Ga1−xAlx)C MAX phases
Колич.характеристики :5 с
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater. - 2024. - Vol. 601. - Ст.172193. - ISSN 03048853 (ISSN), DOI 10.1016/j.jmmm.2024.172193. - ISSN 18734766 (eISSN)
Примечания : Cited References: 30. - The study was funded by a grant from the Russian Science Foundation # 23-22-10020 https://rscf.ru/project/23-22-10020/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science. The calculations were performed with the computer resources of "Complex modeling and data processing research installations of mega-class" SRC "Kurchatovsky Institute" (http://ckp.urcki.ru). The ternary phase diagrams for the calculation of formation enthalpies were taken from Materials Project (https://materialsproject.org) and OQMD (https://oqmd.org/) databases
Аннотация: The magnetic properties of ordered MAX phases Mn2(AlxGa1−x)C (x = 0.125, 0.25, 0.5, 0.75 and 0.875) have been studied within the DFT-GGA. We have found that increase of Al atom at A-site leads to the formation of the ferromagnetic phase with large magnetization of about 3.6 μB/f.u. The investigation of the phase stability is performed by comparing the total energy of the MAX phases with that of a set of competitive phases for calculation of the phase formation enthalpy. Up to a concentration of Al atoms x = 0.7 the compound remains thermodynamically stable. The exchange constants analysis shows the crucial role of exchange interactions between manganese atoms along the c-axis in forming of ferromagnetism. The magnetic transition temperature of Mn2(AlxGa1−x)C alloys increases with increase of the aluminum concentration.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhandun V. S., Draganyuk O. N., Zamkova N. G.
Заглавие : Doping-induced changes in the electronic and magnetic properties of Mn- and Cr-based MAX phases
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.17
Примечания : Cited References: 2. - РНФ № 23-22-10020
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zamkova N. G., Zinenko V. I.
Заглавие : The behaviour of ferroelectric instability in the ABO3 (A= Ba, Sr, Pb; B= Ti, Zr) perovskites with doping Bi+3 and La+3 ions
Коллективы : Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity
Место публикации : Abstracts of the 10th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity. - 2010. - P.167
Материалы симпозиума
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Val'kov V. V., Korovushkin M. M.
Заглавие : Splitting of the lower subband of Hubbard fermions in the Shubin-Vonsowsky model under the influence of strong intersite correlations
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2011. - Vol. 112, Is. 1. - P108-120. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776110061056
Примечания : Cited References: 26. - We express our deep gratitude to R. O. Zaitsev for numerous remarks and discussions. We are grateful to A. A. Golovnya, A. A. Shklyaev, and V. A. Mitskan for specific advice on the numerical calculations of the mass operator. This work was supported by the "Quantum Condensed Matter Physics" Program of the Presidium of the Russian Academy of Sciences, the Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-00251), the "Scientific and Scientific-Pedagogical Personnel of Innovational Russian for 2009-2013" Federal Goal-Oriented Program, and the Interdisciplinary Integration Project no. 53 of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences. One of us (M. K.) thanks Lavrentiev's contest of youth projects of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences.
Предметные рубрики: NARROW ENERGY BANDS
ELECTRON CORRELATIONS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): cooper channels--cooper instability--density of electronic state--doping levels--electron concentration--energy structures--hubbard--hubbard operators--interaction energies--intersite correlation--mott-hubbard insulator--nonuniform--renormalization--root mean squares--scattering amplitudes--spectral intensity--split-off band--strongly correlated fermions--sub-bands--doping (additives)--superconducting transition temperature
Аннотация: The diagram technique for Hubbard operators is used to investigate the influence of intersite Coulomb interactions on the energy structure and Cooper instability of strongly correlated fermions. Allowance for intersite correlations in doped Mott-Hubbard insulators is shown to lead to a splitting of the lower subband of Hubbard fermions and to the formation of a band of fluctuation states as soon as the intersite interaction energy becomes comparable to or exceeds the mean kinetic energy. The spectral intensity of the splitoff band is proportional to the root-mean-square fluctuation of the occupation numbers and increases with doping level. The predicted effect changes significantly the structure of the density of electronic states. This leads to a renormalization of the pole of the scattering amplitude in the Cooper channel and manifests itself as a nonuniform (in electron concentration) modification of the dependence of the critical superconducting transition temperature.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Val'kov V. V., Korovushkin M. M.
Заглавие : Lower subband splitting and superconductivity of 2D Hubbard fermions with strong intersite correlations
Коллективы : International Symposium "Nanophysics and Nanoelectronics-2011" (March 2011; Nizhni Novgorod)
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci. Phys.: Allerton Press, 2012. - Vol. 76, Is. 2. - P.133-135. - ISSN 1062-8738, DOI 10.3103/S1062873812020074
Примечания : Cited References: 6. - This study was supported by Quantum Physics of Condensed Matter program of the Presidium of the Russian Academy of Sciences; the Russian Foundation for Basic Research, project np. 10-02-00251; the federal target program Scientists and Science Teachers of an Innovate Russia, 2009-2013; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, complex integration project no. 53; RF Presidential Grant MK-1300.2011.2; and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences' Lavrent'ev Competition for Young Scientists.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): coulomb correlations--doping levels--electron structures--fermi state--hubbard--intersite correlation--mean-square fluctuations--spectral intensity--split-off band--subbands--natural sciences
Аннотация: The effect of the strong intersite Coulomb correlations on the formation of an electron structure in the Shubin-Vonsowsky model in the regime of strong one-site correlations is studied. The results reveal a split-off band of the Fermi states. The spectral intensity of this band grows with the enhancement of the doping level and is determined by the mean-square fluctuation of occupation numbers. This changes the structure of the electron density of states qualitatively. © 2012 Allerton Press, Inc.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhou, Guojun, Guo, Shaoqiang, Zhao, Jing, Molokeev M. S., Liu, Quanlin, Zhang, Junying, Xia, Zhiguo
Заглавие : Unraveling the mechanochemical synthesis and luminescence in MnII-based two-dimensional hybrid perovskite (C4H9NH3)2PbCl4
Место публикации : Sci. China Mater. - 2019. - Vol. 62, Is. 7. - P.1013-1022. - ISSN 2095-8226, DOI 10.1007/s40843-018-9404-4. - ISSN 2199-4501(eISSN)
Примечания : Cited References: 40. - The present work was supported by the National Natural Science Foundation of China (91622125, 51722202 and 51572023) and the Natural Science Foundation of Beijing (2172036), and Molokeev M acknowledges the support of the Russian Foundation for Basic Research (17-52-53031). The DFT calculation was carried out at the National Supercomputer Center in Tianjin, and the calculations were performed on TianHe-1(A).
Предметные рубрики: DOPANT ENERGY-TRANSFER
EMISSION
EXCITON
MODEL
Аннотация: The mechanochemical route is a facile and fast way and has received much attention for developing versatile advanced functional materials. Herein, we reported a mechanochemical synthesis for incorporating divalent manganese ions (MnII) into a two-dimensional (2D) hybrid perovskite (C4H9NH3)2PbCl4. The mild external stimuli originating from the grinding at room temperature enabled the formation of MnII-doped 2D hybrid perovskites, and rapidly changed the luminescence characteristics. The photoluminescence analyses show that the violet and orange emissions are attributed to (C4H9NH3)2Pb1–xMnxCl4 band-edge emission and the T1→6A1 transition of Mn2+ resulting from an efficient energy transfer process, respectively. Site preference and distribution of the doped Mn2+ cations on the locations of Pb2+ were analyzed. The formation energy calculated by the density functional theory (DFT) indicates that the Mn2+ ions can rapidly enter the crystal lattice due to the unique 2D crystal structure of the hybrid perovskite. Such a case of mechanochemical synthesis for the 2D hybrid perovskite motivates many novel emerging materials and the related applications.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Semenov S. V., Gokhfeld D. M., Balaev D. A., Yakimov I. S., Petrov M. I.
Заглавие : Tuning the peak effect by in Y1-xNdxBa2Cu3O7-δ compound by Nd doping
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow International Symposium on Magnetism (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.3PO-I-19. - P.576
Примечания : Библиогр.: 4
РИНЦ,
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ren Q., Zhang J., Molokeev M. S., Zhou G., Zhang X. -M.
Заглавие : Triplet-triplet energy transfer from Bi3+to Sb3+in zero-dimensional indium hybrids via a B-site co-doping strategy toward white-light emission
Место публикации : Inorg. Chem. Front. - 2022. - Vol. 9, Is. 22. - P.5960-5968. - ISSN 20521553 (ISSN), DOI 10.1039/d2qi01631a
Примечания : Cited References: 60. - This work was supported by the Natural Science Foundation of Shanxi Province (No. 20210302124054), the National Natural Science Foundation of China (No. 21871167), the Science and Technology Innovation Project of Colleges and Universities in Shanxi Province (No. 2021L262), the 1331 Project of Shanxi Province and the Postgraduate Innovation Project of Shanxi Normal University (No. 2021XSY040), and funded by RFBR according to the research project No. 19-52-80003
Аннотация: Low-dimensional metal halides have emerged as promising platforms for the development of new-generation phosphor-converted light emitting diodes (pc-LEDs), in which zero-dimensional (0D) hybrids with lone-pair ns2 states, in particular, show unprecedented competitiveness owing to their fascinating photoluminescence (PL) properties. Herein, we designed a novel 0D indium hybrid, (C20H20P)2InCl5, and proposed a co-doping strategy to incorporate Bi3+ (6s2) and Sb3+ (5s2) ions into this indium hybrid. Widely tunable emissions from blue to red are achieved, which are assigned to the triplet self-trapped excitons (STEs) (3P1 → 1S0) of Bi3+ (476 nm) and Sb3+ (658 nm), respectively. Importantly, an uncommon triplet–triplet energy transfer from Bi3+ to Sb3+ contributes to tunable dual emissions, and enables a single-phase cool white-light emission under ultraviolet (UV) excitation. Moreover, the energy transfer mechanism is discussed clearly by fluorescence photon dynamic analysis and DFT calculations. This work provides a deeper insight into triplet–triplet energy transfer, as well as presents a new model system for tuning the PL behaviours of ns2 configuration dopants.
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие