Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Shanidze, L. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Shanidze L. V., Volochaev M. N.
Заглавие : Synthesis and transport properties of hybrid structures with quasi-two-dimensional α-FeSi2 nanocrystals
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - P.130. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 3
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Baron F. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.O8. - P.66-67. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Baron F. A., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Biosensors based on nanowire field effect transistors with Schottky contacts
Коллективы : International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст.012013. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012013. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 29. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-32-00035 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies».
Аннотация: A top-down nanofabrication approach was used to obtain silicon nanowires from silicon-on-insulator wafers using direct-write electron beam lithography and plasma-reactive ion etching. Fabricated with designed pattern silicon nanowires are 0.4, 0.8, 2 μm in width and 100 nm in height. The devices can be applied in future medical diagnostic applications as novel biosensors with detection principle based on the changes in electrical characteristics of the silicon nanowires functionalized with thiol-containing molecules.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Rautskii M. V., Yakovlev I. A., Zelenov F. N., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device
Коллективы : International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст.012204. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012204. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 8. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies».
Аннотация: In this work, we studied the electronic transport properties of silicon nanowire field-effect transistors with a back gate. A nontrivial magnetic field influence on the drain current at low temperature (10 K) was found. The strongest effect was observed in the majority carrier accumulation mode. In this mode magnetic field of 0.5 T increases current through the device by more than an order of magnitude. The paper describes the possible mechanisms of the magnetic field influence on the electronic transport characteristics of the structures.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Zelenov F. V., Masugin A. N., Ivanov A. B., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Synthesis and transport properties of FET based on Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing
Коллективы : International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст.012017. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012017. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 17-02-00302 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies».
Аннотация: In this work we show a preparation technique of Co2FeSi full-Heusler alloy thin films on silicon-on-insulator (SOI) substrates, employing rapid thermal annealing (RTA). The films of the Co2FeSi alloy were formed by a silicidation reaction, caused by RTA, between the ultrathin SOI (001) layer and the Fe/Co layers deposited on it. It is assumed that this technology is compatible with the process of formation of a half-metal source-drain in an advanced CMOS and SOI technology and will be applicable for the manufacture of a source-drain of a field-effect transistor. Schottky barrier field-effect transistors (FET) with a back-gate, based on silicon nanowires with source and drain of a Co2FeSi film, synthesized on an SOI substrate, were manufactured. The transport properties of the device were investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Krasitskaya V. V., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on nanowire field effect transistor
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VII.31.03p. - P.195. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P15
Примечания : Cited References: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics
Место публикации : International workshop on functional MAX-materials (1st FunMax). - 2020. - P.15
Примечания : Cited references: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Silicon nanowire based biosensor for detection of organic molecules
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.4-5
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Biocompatible nanostructures fabricated by Dip-Pen nanolithography
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.8-9
Материалы конференции
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Alekseenko I. V.
Заглавие : Research of the influence of magnetic field on the lateral photovoltaic effect in hybrid structure with shottky barrier
Коллективы : "Современные проблемы радиоэлектроники", всероссийская научно-техническая конференция, посвященная 123-й годовщине Дня радио, Сибирский федеральный университет
Место публикации : Соврем. проблемы радиоэлектроники: сб. науч. трудов : электронное издание/ ред. А. И. Громыко. - Красноярск: СФУ, 2018. - С. 505-509. - ISBN 978-5-7638-3902-9
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: In this paper, we report the dependence of the lateral photovoltaic effect on the temperature, power of optical radiation in magnetic fields of 0.9 T for different polarities in the hybrid structure Fe/SiO2/p-Si. It was found that the presence of a Schottky barrier in the structure plays a decisive role in the mechanisms of the appearance of lateral photovoltage.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties
Место публикации : J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P.65-69. - ISSN 10274510 (ISSN), DOI 10.1134/S1027451021010109
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Mikhlin, Yurii L., Molokeev M. S., Rautskiy M. V., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Shanidze L. V., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Konovalov, Stepan O., Zelenov, Fyodor, V, Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Structural, optical, and electronic properties of Cu-doped TiNxOy grown by ammonothermal atomic layer deposition
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2021. - Vol. 13, Is. 27. - P.32531-32541. - ISSN 1944-8244, DOI 10.1021/acsami.1c08036. - ISSN 1944-8252(eISSN)
Примечания : Cited References: 69. - This research was funded by the RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (project code 20-42-240013) and by the grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories (contract no. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: OXYNITRIDE THIN-FILMS
TITANIUM-NITRIDE
CONFORMAL TIN
Аннотация: Copper-doped titanium oxynitride (TiNxOy) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) using the TiCl4 precursor, NH3, and O2 at 420 °C. Forming gas was used to reduce the background oxygen concentration and to transfer the copper atoms in an ALD chamber prior to the growth initiation of Cu-doped TiNxOy. Such forming gas-mediated Cu-doping of TiNxOy films had a pronounced effect on their resistivity, which dropped from 484 ± 8 to 202 ± 4 μΩ cm, and also on the resistance temperature coefficient (TCR), which decreased from 1000 to 150 ppm °C–1. We explored physical mechanisms causing this reduction by performing comparative analysis of atomic force microscopy, X-ray photoemission spectroscopy, X-ray diffraction, optical spectra, low-temperature transport, and Hall measurement data for the samples grown with and without forming gas doping. The difference in the oxygen concentration between the films did not exceed 6%. Copper segregated to the TiNxOy surface where its concentration reached 0.72%, but its penetration depth was less than 10 nm. Pronounced effects of the copper doping by forming gas included the TiNxOy film crystallite average size decrease from 57–59 to 32–34 nm, considerably finer surface granularity, electron concentration increase from 2.2(3) × 1022 to 3.5(1) × 1022 cm–3, and the electron mobility improvement from 0.56(4) to 0.92(2) cm2 V–1 s–1. The DC resistivity versus temperature R(T) measurements from 4.2 to 300 K showed a Cu-induced phase transition from a disordered to semimetallic state. The resistivity of Cu-doped TiNxOy films decreased with the temperature increase at low temperatures and reached the minimum near T = 50 K revealing signatures of the quantum interference effects similar to 2D Cu thin films, and then, semimetallic behavior was observed at higher temperatures. In TiNxOy films grown without forming gas, the resistivity decreased with the temperature increase as R(T) = – 1.88T0.6 + 604 μΩ cm with no semimetallic behavior observed. The medium range resistivity and low TCR of Cu-doped TiNxOy make this material an attractive choice for improved matching resistors in RF analog circuits and Si complementary metal–oxide–semiconductor integrated circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Rautskiy M. V., Zelenov F. V., Konovalov S. O., Nemtsev I. V., Voloshin A. S., Tarasov I. A., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Cu-doped TiNxOy thin film resistors DC/RF performance and reliability
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Appl. Sci. - 2021. - Vol. 11, Is. 16. - Ст.7498. - ISSN 2076-3417(eISSN), DOI 10.3390/app11167498
Примечания : Cited References: 13. - This research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project code 20-42-240013 and by Grant of the Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories (contract No. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: GROWTH
Аннотация: We fabricated Cu-doped TiNxOy thin film resistors by using atomic layer deposition, optical lithography, dry etching, Ti/Cu/Ti/Au e-beam evaporation and lift-off processes. The results of the measurements of the resistance temperature dependence, non-linearity, S-parameters at 0.01–26 GHz and details of the breakdown mechanism under high-voltage stress are reported. The devices’ sheet resistance is 220 ± 8 Ω/□ (480 ± 20 µΩ*cm); intrinsic resistance temperature coefficient (TCR) is ~400 ppm/°C in the T-range of 10–300 K; and S-parameters versus frequency are flat up to 2 GHz with maximum variation of 10% at 26 GHz. The resistors can sustain power and current densities up to ~5 kW*cm−2 and ~2 MA*cm−2, above which they switch to high-resistance state with the sheet resistance equal to ~200 kΩ/□ (~0.4 Ω*cm) caused by nitrogen and copper desorption from TiNxOy film. The Cu/Ti/TiNxOy contact is prone to ageing due to gradual titanium oxidation while the TiNxOy resistor body is stable. The resistors have strong potential for applications in high-frequency integrated and hybrid circuits that require small-footprint, medium-range resistors of 0.05–10 kΩ, with small TCR and high-power handling capability.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Tarasov I. A., Rauckii M.V., Yakovlev I. A., Kosyrev N. N., Komarov V. A., Shanidze L. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic properties of mn-doped Fe3+xSi1–x films synthesized on soi substrate by low temperature annealing
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. J: Soft and hard magnetic materials. - Ст.J.P24. - P.248-249. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 6. - The research was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Shanidze L. V., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Bondarev I. A.
Заглавие : Low temperature behaviour of the lateral photovoltaic effect in multilayered silicon-based nanostructures
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect.: Magnetotransport, magnetooptics and magnetophotonics. - Ст.D.P3. - P.446-447. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 8. - Support by Krasnoyarsk Regional Fund of Science is acknowledged
Материалы симпозиума, ,
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Shanidze L. V., Rautskiy M. V., Mikhlin Yu. L., Lukyanenko A. V., Konovalov S. O., Zelenov F. V., Shvets P. V., Goikhman A. Yu., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P.74-77. - ISSN 10637850 (ISSN), DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - ISSN 10906533 (eISSN)
Примечания : Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Смотреть статью
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Sukhachev A. L., Shanidze L. V., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties
Колич.характеристики :14 с
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P.S133-S146. - ISSN 10628738 (ISSN), DOI 10.1134/S1062873823704518. - ISSN 19349432 (eISSN)
Примечания : Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculationsSupported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие