Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Annealing<.>)

Общее количество найденных документов : 27
Показаны документы с 1 по 20

    Зобов, Владимир Евгеньевич.
    Последовательности селективных операторов поворотов для создания взаимодействий для квантового отжига на трех кутритах / В. Е. Зобов, И. С. Пичковский // Сибир. физич. журнал. - 2019. - Т. 14, № 1. - С. 5–16 ; Siberian J. Phys., DOI 10.25205/2541-9447-2019-14-1-5-16. - Библиогр.: 23 . - ISSN 2541-9447
   Перевод заглавия: Sequences of Selective Rotation Operators to Engineer Interactions for Quantum Annealing on Three Qutrits
Рубрики:
Теоретическая и математическая физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовый отжиг -- факторизация -- кутрит -- селективные операторы поворотов -- quantum annealing -- factorization -- qutrit -- selective rotation operators
Аннотация: Выполнено моделирование факторизации числа 15 на трех кутритах, представленных спинами S = 1, посредством квантового отжига. Предполагается, что сильное односпиновое взаимодействие позволяет селективно влиять на разные переходы между уровнями каждого из трех кутритов. Подобраны последовательности селективных операторов поворотов для создания из диполь-дипольного взаимодействия изменяющегося во времени эффективного гамильтониана, необходимого для решения задачи. Найдена зависимость точности от параметров магнитного поля, полного времени отжига и длительности временных шагов при замене непрерывного изменения гамильтониана на дискретное.
We have done simulating of factorization the number 15 on three qutrits S = 1 by quantum annealing. We assume that strong one-spin interaction allow selectively operate on different transitions between levels of the each qutrit. We present a sequence of selective rotation operators to engineer from dipole-dipole interaction a time-dependent effective Hamiltonian necessary for solving the problem. Also we find dependence of fidelity versus various parameters: magnetic field, total annealing time, and duration of time step, when the continuous variation of the Hamiltonian is replaced by a discrete one.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, Академгородок, 50, стр. 38, Красноярск, 660036, Россия
Сибирский федеральный университет, ул. Киренского, 28, Красноярск, 660074, Россия

Доп.точки доступа:
Пичковский, И. С.; Pichkovskiy, I. S.; Zobov, V. E.

}
Найти похожие

    Пленки аморфного и кристаллического оксида никеля, полученные экстракционно-пиролитическим методом для электрохромных ячеек / А. Л. Белоусов [и др.] // Хим. технол. - 2019. - Т. 20, № 5. - С. 215-221, DOI 10.31044/1684-5811-2019-20-5-215-221. - Библиогр.: 8 . - ISSN 1684-5811
   Перевод заглавия: Films of amorphous and crystalline nickel oxide, produced by extraction-pyrolitic method for electrochromic cells
Кл.слова (ненормированные):
экстракты никеля -- экстракционно-пиролитическая технология -- тонкие пленки -- отжиг -- электрохромная ячейка -- nickel extract -- extraction-pyrolitic technology -- thin film -- annealing -- electrochromic cell
Аннотация: Представлены исследования тонких пленок оксида никеля, полученных экстракционно-пиролитическим методом на стеклянных и кварцевых подложках при температурах 380-600 °С. Пленки охарактеризованы методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что на стекле формируются аморфные, а на кварце - кристаллические пленки оксида никеля. Размер зерна в пленках зависит от температуры отжига, при этом повышенные температуры отжига приводят к рекристаллизации и снижению размера зерна в пленках NiO от 130 до 35 нм.
Study results of thin films of nickel oxide, produced by the extraction-pyrolitic method on glass and quartz substrates at temperatures 380-600 °С are presented. The film characteristics were obtained by the methods of atomic-force microscopy and X-ray diffraction. It has been found out that amorphous films are formed on glass and crystalline ones of nickel oxide are formed on quartz. Grain dimensions in the films depend on annealing temperature.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Amorphous and Crystalline Nickel Oxide Films Obtained by the Extraction-Pyrolysis Method for Electrochromic Cells [Текст] / A. L. Belousov, T. N. Patrusheva, A. A. Karacharov [et al.] // Theor. Found. Chem. Eng. - 2020. - Vol. 54 Is. 4.- P.699-705

Держатели документа:
Балтийский государственный технический университет Военмех им. Д. Ф. Устинова
Институт общей и неорганической химии РАН
Институт физики им. Киренского СО РАН
Институт химии и химической технологии СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Белоусов, А.Л.; Belousov A.L.; Патрушева, Т.Н.; Patrusheva T.N.; Карачаров, А.А.; Karacharov A.A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Кирик, С.Д.; Kirik S.D.; Холькин, А.И.; Kholkin A.I.
}
Найти похожие

    Исследование фазовых превращений в тонкопленочных структурах Sn/Co при вакуумном отжиге / A. A. Мацынин, С. В. Комогорцев, Л. Е. Быкова, Л. А. Еремин // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. IX Байкал. междунар. конф. BICMM-2023 / чл. прогр. ком.: S. S. Aplesnin [et al.] ; чл. орг. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2023. - С. 125-126, DOI 10.26516/978-5-9624-2178-0.2023.1-207. - Библиогр.: 3 . - ISBN 978-5-9624-2178-0
   Перевод заглавия: Study of thase transformations in thin-film Sn/Co structures under vacuum annealing

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Балаев, Дмитрий Александрович \чл. прогр. ком.\; Balaev, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Исхаков, Рауф Садыкович \чл. орг. ком.\; Iskhakov, R. S.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A. A.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Еремин, Леонид Аркадьевич; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(9 ; 2023 ; Sept. ; 11-14 ; Baikalsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

Thermomagnetic behaviour and compositional irreversibility on (Fe/Si)3 multilayer films / L. Badía-Romano [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2014. - Vol. 364. - P. 24-33, DOI 10.1016/j.jmmm.2014.04.029. - Cited References: 52. - The financial support of the Spanish MINECOMAT2011-23791, FIS2008-06249, the President of Russia Grant (NSh-1044.2012.2), RFFI Grant 13-02-01265, 14-0290404, Aragonese DGA-IMANA E34 (cofunded by Fondo Social Europeo) and that received from the European Union FEDER funds is acknowledged. L.B.R. acknowledges the Spanish MINECO FPU 2010 grant. Authors would like to acknowledge the use of Servicio General de Apoyo a la Investigación-SAI, Universidad de Zaragoza. . - ISSN 0304-8853. - ISSN 1873-4766

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
SPUTTERED FE/SI SUPERLATTICES
   INTERLAYER EXCHANGE
   GIANT MAGNETORESISTANCE
   MAGNETIC-PROPERTIES
   SILICIDE FORMATION
   EPITAXIAL-GROWTH
   ROOM-TEMPERATURE
   IRON DISILICIDE
   TRILAYER FILMS
   THIN-FILMS
Кл.слова (ненормированные):
Fe-Si multilayer -- Chemical transformation -- Fe silicide -- Interlayer exchange coupling -- Magnetic domain -- in situ annealing
Аннотация: This work presents the correlation between the morphology and magnetic properties of (Fe/Si)3 multilayers with different Fe layer thicknesses and fixed Si spacer thickness in a broad temperature range (View the MathML source5
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Univ Zaragoza, CSIC, Inst Ciencia Mat Aragon, E-50009 Zaragoza, Spain
Univ Zaragoza, Dept Fis Mat Condensada, E-50009 Zaragoza, Spain
Univ Zaragoza, Dept Ciencia Mat & Ingn Met, E-50018 Zaragoza, Spain
Univ Zaragoza, Inst Nanociencia Aragon, Lab Microscopias Avanzadas, E-50018 Zaragoza, Spain
Fdn ARAID, E-50004 Zaragoza, Spain
Univ Porto, Fac Ciencias, Dept Fis Astron, IN IFIMUP, P-4169007 Oporto, Portugal
Univ Oviedo, Dept Fis, E-33007 Oviedo, Spain
Univ Oviedo Principado Asturias, CSIC, CINN, E-33007 Oviedo, Spain
Forschungszentrum Julich, Elect Properties, Peter Grunberg Inst PGI 6, D-52425 Julich, Germany
Russian Acad Sci, Siberian Div, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Aerospace Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Badía-Romano, L.; Rubín, J.; Magén, C.; Bartolomé, F.; Sesé, J.; Ibarra, M.R.; Bartolomé, J.; Hierro-Rodriguez, A.; Martín, J.I.; Alameda, J.M.; Bürgler, D.E.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

The regularities of phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing / M. N. Volochaev [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2017. - Vol. 857, Is. 1. - Ст. 012053, DOI 10.1088/1742-6596/857/1/012053. - Cited References: 10 . - ISSN 1742-6588
Кл.слова (ненормированные):
Coatings -- High resolution transmission electron microscopy -- Molecular beam epitaxy -- Silicon -- Transmission electron microscopy -- Phase formations -- Polycrystalline -- Polycrystalline film -- Si(111) substrate -- Vacuum-annealing -- Annealing
Аннотация: The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Loginov, Yu. Yu.; Cherkov, A. G.; Kovalev, I. V.; International Conference on Films and Coatings(13th ; St. Petersburg)(18 - 20 April 2017)
}
Найти похожие

Yaroslavtsev, R. N.
The processes occurring at low temperature annealing in multilayer film structures of Co/Pd / R. N. Yaroslavtsev, L. A. Chekanova, R. S. Iskhakov // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. VIII.21.09p. - P. 294-295 . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Chekanova, L. A.; Чеканова, Лидия Александровна; Iskhakov, R. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; Ярославцев, Роман Николаевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие

The phases formed in Sn/Co thin bilayer upon heating / L. Eremin, A. Matsynin, Yu. Balashov [et al.] // J. Solid State Chem. - 2024. - Vol. 334. - Ст. 124693, DOI 10.1016/j.jssc.2024.124693. - Cited References: 33 . - ISSN 0022-4596. - ISSN 1095-726X
Кл.слова (ненормированные):
Thin films -- Solid-state chemistry -- Metallic bilayer -- Annealing
Аннотация: The structure and phases formed in Sn/Co thin films are interesting both from the solid-state chemistry point of view and due to applications of such a metallic bilayer. The phases forming in thin films Sn/Co obtained by thermal vacuum evaporation on two different substrates SiO2 and MgO(100) at different annealing temperatures have been studied. Annealing above 110°С results in intermetallics formation in the films. The hcp-cobalt is grown in the films on SiO2 substrate, and the fcc-Co is observed on MgO(100) substrate. It is found that the stable α-Co3Sn2 intermetallic is formed at higher annealing temperature in film on MgO(100) substrate. We show that transformations related to mass transfer in the Sn/Co bilayers were up to 500°С and were finished upon reaching the thermodynamically equilibrium phase composition at this temperature.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Applied Physics Department, Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, 660037, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Eremin, L. A.; Еремин, Леонид Аркадьевич; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Balashov, Yu. Yu.; Балашов, Юрий Юрьевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович
}
Найти похожие

The effect of annealing on the structure and phase transitions of Na0.95Li0.05NbO3 / E. V. Bogdanov [et al.] // Ninth international seminar on ferroelastic physics (ISFP-9) : book of abstracts / org. com. I. N. Flerov [et al.] ; progr. com. V. I. Zinenko [et al.]. - 2018. - P. 26

Материалы конференции,
Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Bunina, O. A.; Kuprina, Yu. A.; Lutokhin, A. G.; Raevskaya, S. I.; Titov, V. V.; Orlov, S. V.; Malitskaya, M. A.; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Bondarev, V. S.; Бондарев, Виталий Сергеевич; Raevski, I. P.; International Seminar on Ferroelastic Physics(9 ; 2018 ; Sept. ; 12-15 ; Voronezh); Международный семинар по физике сегнетоэластиков(9(14) ; 2018 ; сент. ; 12-15 ; Воронеж); Российская академия наук; Воронежский государственный технический университет
}
Найти похожие

Synthesis and transport properties of FET based on Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing / A. V. Lukyanenko [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст. 012017, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012017. - Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 17-02-00302 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies». . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596

РУБ Crystal growth and structural properties of semiconductor materials and nanostructures

Аннотация: In this work we show a preparation technique of Co2FeSi full-Heusler alloy thin films on silicon-on-insulator (SOI) substrates, employing rapid thermal annealing (RTA). The films of the Co2FeSi alloy were formed by a silicidation reaction, caused by RTA, between the ultrathin SOI (001) layer and the Fe/Co layers deposited on it. It is assumed that this technology is compatible with the process of formation of a half-metal source-drain in an advanced CMOS and SOI technology and will be applicable for the manufacture of a source-drain of a field-effect transistor. Schottky barrier field-effect transistors (FET) with a back-gate, based on silicon nanowires with source and drain of a Co2FeSi film, synthesized on an SOI substrate, were manufactured. The transport properties of the device were investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk 660037, Russia

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zelenov, F. V.; Зеленов, Ф. В.; Masugin, A. N.; Масюгин, Альберт Николаевич; Ivanov, A. B.; Иванов, А. Б.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures(6 ; 2019 ; 22-25 April ; Saint Petersburg)
}
Найти похожие

10.

    Solid-state synthesis, structural and magnetic characterization of ferromagnetic phases in 24Ga/76Fe(0 0 1), 40Ga/60Fe(0 0 1) and 60Ga/40Fe(0 0 1) bilayers / V. G. Myagkov, L. E. Bykova, V. S. Zhigalov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2022. - Vol. 561. - Ст. 169709, DOI 10.1016/j.jmmm.2022.169709. - Cited References: 77. - The work is partially based upon the experiments performed on Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» . - ISSN 0304-8853
   Перевод заглавия: Твердотельный синтез, структурные и магнитные характеристики ферромагнитных фаз в бислоях 24Ga/76Fe(0 0 1), 40Ga/60Fe(0 0 1) и 60Ga/40Fe(0 0 1)
Кл.слова (ненормированные):
Fe100-xGax alloys -- Thin film -- Annealing -- Solid-state reaction -- Magnetic properties -- Fe - Ga phase diagram
Аннотация: The A2, B2, D03 phases and dispersive nanoprecipitates play key roles in the nature of super-functional properties, such as the large and sensitive magnetostriction, in Fe100-xGax alloys. However, the temperature conditions for the occurrence of the chemical interaction between Fe and Ga, leading to the synthesis of these phases and nanoprecipitates, remain completely unexplored. Herein we first report results of the start of the chemical interaction at the Ga/Fe(0 0 1) interface and the structural and magnetic phase transformations in 24Ga/76Fe(0 0 1), 40Ga/60Fe(0 0 1) and 60Ga/40Fe(0 0 1) bilayers from room temperature to 800 °C. For all bilayers the magnetic ordered D03 phase is the first phase which is formed at the Ga/Fe(0 0 1) interface at ∼ 375 °C. When the annealing temperature is increased above 580 °C in 24Ga/76Fe(0 0 1) samples the epitaxial D03(0 0 1) layer begins to develop into the epitaxial magnetic ordered B2(0 0 1) layer, which remains after annealing to 800 °C. In 40Ga/60Fe(0 0 1) samples the epitaxial D03(0 0 1) layer evolves into the epitaxial B2(0 0 1) layer and a new epitaxial layer with interplanar spacing 0.1484 nm (L60ʹ), which has close reflections with L60 nanoprecipitates. The L60ʹ phase exhibits unique magnetic properties, including a large magnetic fourfold anisotropy constant of ∼ 7·105 erg/cm3 and 8-fold anisotropy. The solid-state reactions in 60Ga/40Fe(0 0 1) samples start with the synthesis of D03 nanograins embedded in amorphous phases, whose peaks are centered on D03(0 0 4) and Fe(0 0 2) reflections. Above 700 °C the amorphous phases partially crystallize and the epitaxial magnetic L60ʹ and ordered B2(0 0 1) phases emerge. Dewetting and unidentified secondary precipitations are observed in all samples and their influence on the magnetic properties is discussed. Our results demonstrate not only the complex nature of initial stage Fe100-xGax alloy synthesis, but also predict the low-temperature transformation at ∼ 375 °C in the Fe - Ga phase diagram.

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsky Rabochiy 31, Krasnoyarsk, 660000, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50/24, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Kokh, D.; Кох, Д.; Mikhlin, Y. L.; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bondarenko, G. N.
}
Найти похожие

11.

    Solid-state synthesis, dewetting, and magnetic and structural characterization of interfacial FexSn1−x layers in Sn/Fe(001) thin films / V. G. Myagkov, V. S. Zhigalov, L. E. Bykova [et al.] // J. Mater. Res. - 2021. - Vol. 36, Is. 15. - P. 3121-3133, DOI 10.1557/s43578-021-00312-4. - Cited References: 43. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research together with the Government of the Krasnoyarsk Territory, the Krasnoyarsk Regional Fund of Science (Grant #19-43-240003). The work is partially based upon the experiments performed on Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» . - ISSN 0884-2914
   Перевод заглавия: Твердотельный синтез, смачивание, магнитные и структурные характеристики межфазных слоев FexSn1−x в тонких пленках Sn/Fe(001)
Кл.слова (ненормированные):
Alloy -- Thin film -- Annealing -- Surface reaction -- Phase equilibria -- Magnetic properties
Аннотация: The phase formation sequences in 9Sn/91Fe(001) and 25Sn/75Fe(001) bilayers during thin-film solid-state reactions up to 800°C were investigated using X-ray diffraction, the torque method, and scanning electron microscopy. In both samples, FeSn2, FeSn, α-Fe1−xSnx, Fe5Sn3, α-Fe, and β-Sn were sequentially formed at the initiation temperatures Tini ~ 150°C, ~ 300°C, ~ 550°C, ~ 600°C, and ~ 700°C, respectively. Low-temperature transformations were predicted at temperatures TK1 ~ 150°C and TK2 ~ 300°C, which are absent in the phase equilibrium diagram of the Fe–Sn system. Solid-state dewetting of the 9Sn/91Fe(001) and 25Sn/75Fe(001) bilayers started at temperatures above 550°C. Overall, this work sheds new light on general chemical mechanisms governing the synthesis of intermetallic phases in Sn/Fe(001) thin films, the phase transformations, and the evolution of the dewetting process of FexSn1−x films.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50/38, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 50/24 Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Federal Research Center Krasnoyarsk Science Center, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Solovyov, L. A.; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Balashov, Yu. Yu.; Балашов, Юрий Юрьевич; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Shabanov, A. V.; Шабанов, Александр Васильевич; Bondarenko, G. N.
}
Найти похожие

12.

    Zobov, V. E.
    Sequences of selective rotation operators to engineer interactions for quantum annealing on three qutrits / V. E. Zobov, I. S. Pichkovskiy ; ed.: V. F. Lukichev, K. V. Rudenko // Proc. SPIE. - 2019. - Vol. 11022: International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018. - Ст. UNSP 110222V, DOI 10.1117/12.2521253. - Cited References: 21
   Перевод заглавия: Последовательности селективных операторов поворотов для создания взаимодействий для квантового отжига на трех кутритах

РУБ Nanoscience & Nanotechnology + Optics
Рубрики:
ALGORITHM
Кл.слова (ненормированные):
quantum annealing -- factorization -- qutrit -- selective rotation operators
Аннотация: We have done simulating of factorization the number 15 on three qutrits, represented by the spins S = 1, by quantum annealing. We assume that strong one-spin interaction allow selectively operate on different transitions between levels of the each qutrit. We present a sequence of selective rotation operators to engineer from dipole-dipole interaction a time-dependent effective Hamiltonian necessary for solving the problem. Also we find dependence of fidelity versus different parameters: magnetic field, total annealing time, and duration of time step, when the continuous variation of the Hamiltonian is replaced by a discrete one.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660074, Russia.

Доп.точки доступа:
Pichkovskiy, I. S.; Lukichev, V.F. \ed.\; Rudenko, K.V. \ed.\; Зобов, Владимир Евгеньевич; International Conference on Micro- and Nano-Electronics(2018 ; Oct. ; 1-5 ; Zvenigorod, Russia)
}
Найти похожие

13.

    Zobov, V. E.
    Sequences of selective rotation operators for three group clustering on qutrits by means quantum annealing / V. E. Zobov, I. S. Pichkovskiy // Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics – 2021". ICMNE – 2021. - 2021. - Ст. q3-02. - P. 149. - Cited References: 4
   Перевод заглавия: Последовательности селективных операторов поворотов для кластеризации на три группы на кутритах посредством квантового отжига

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Pichkovskiy, I. S.; Зобов, Владимир Евгеньевич; "Micro- and Nano-Electronics", International Conference(2021 ; Oct. ; Zvenigorod); "Микро- и наноэлектроника", международная конференция(2021 ; окт. ; Звенигород)Квантовая информатика, симпозиум(2021 ; окт. ; Звенигород); Российская академия наук; Физико-технологический институт имени К.А. Валиева РАН
}
Найти похожие

14.

    Zobov, V. E.
    Sequences of selective rotation operators for three group clustering on qutrits by means of quantum annealing / V. E. Zobov, I. S. Pichkovskiy // Proc. SPIE. - 2022. - Vol. 12157. - Ст. 121571Z, DOI 10.1117/12.2622732. - Cited References: 25. - This work was supported by a grant from the Fund for the Development of Theoretical Physics and Mathematics "Basis" # 20-1-5-41-1
   Перевод заглавия: Последовательности селективных операторов поворота для кластеризации на три группы на кутритах посредством квантового отжига
Кл.слова (ненормированные):
quantum annealing -- clustering -- qutrit -- selective rotation operators
Аннотация: Recently, it was demonstrated that the clustering considered in this articlec, which consists in partitioning a set of data points into subsets depending on the proximity of some properties, can be performed using quantum annealing on a system of two-level quantum elements - qubits. In previous work, we proposed to pass from qubits to qutrits - three-level quantum elements showed the advantages of such a replacement and obtained a time-dependent effective Hamiltonian. In the present paper, we have found a sequence of selective rotation operators that allows one to realize adiabatic evolution with this effective Hamiltonian in the discrete-time approximation. On five qutrits, represented by spins S = 1, we performed a simulation of clustering a set of six points on a plane into three groups by means of quantum annealing.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Pichkovskiy, I. S.; Пичковский, Иван Сергеевич; Зобов, Владимир Евгеньевич; International Conference on Micro- and Nano-Electronics(14 ; 2021 ; Oct. 4-8 ; Zvenigorod, Russian Federation)
}
Найти похожие

15.

Modeling of quantum annealing in the ternary system: the factorization of the number 551 / scientific supervisor V. E. Zobov ; language advisor I. V. Alekseenko // Соврем. проблемы радиоэлектроники : сб. науч. трудов : электронное издание / ред. А. И. Громыко. - Красноярск : СФУ, 2018. - С. 496-499. - Библиогр.: 6 . - ISBN 978-5-7638-3902-9
Аннотация: In this paper we present the decision of one of the most hard combination problem with qutrit, factorization number. We present two factors that form this number. Knowing the length of one of them, the problem is simplified and can be resolved. Our work solves the problem of factorization of number 551 with the length of multiplier, which equals 4.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт инженерной физики и радиоэлектроники
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Громыко, А. И. \ред.\; Pichkovskiy, I. S.; Zobov, V. E.; Зобов, Владимир Евгеньевич; Alekseenko, I. V.; "Современные проблемы радиоэлектроники", всероссийская научно-техническая конференция, посвященная 123-й годовщине Дня радио(21 ; 2018 ; май ; 3-4 ; Красноярск); Сибирский федеральный университет
}
Найти похожие

16.

Gudim, I. A.
Magnetic properties of twin trigonal oxiborate with huntite structure. effect of annealing / I. A. Gudim, E. V. Eremin, V. R. Kuchesheva-Titova // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. K : Magnetic semiconductors, multiferroics, topological insulators. - Ст. K.P7. - P. 320-321. - Cited References: 7. - The work on this study was supported by the Russian Science Foundation No. 22-12-20019 . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Kuchesheva-Titova, V. R.; Гудим, Ирина Анатольевна; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)"Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие

17.

Magnetic properties of mn-doped Fe3+xSi1–x films synthesized on soi substrate by low temperature annealing / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Tarasov [et al.] // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. J : Soft and hard magnetic materials. - Ст. J.P24. - P. 248-249. - Cited References: 6. - The research was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Rauckii, M.V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Komarov, V. A.; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие

18.

Magnetic properties and L1 0 phase formation in CoPt nanoparticles / S. V. Komogortsev [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 159-162, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.159 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
Hard magnetic -- Magnetic anisotropy -- Magnetic nanoparticles -- Remnant magnetization -- Annealing time -- CoPt nanoparticles -- Disorder-order -- Domain formation -- Hard magnetic -- Magnetic anisotropy energy -- Magnetic nanoparticles -- Phase formations -- Remnant magnetization -- Decomposition -- Magnetic anisotropy -- Magnetic materials -- Remanence -- Nanoparticles
Аннотация: The effect of the atomic disorder-order transformation on remanence, coercivity and magnetic anisotropy energy in CoPt nanoparticles prepared by thermal decomposition and annealed at 400oC for 4 and 16 hours has been studied. The observed remanence and magnetic anisotropy energy enhancement versus annealing time are discussed in the terms of ordering domain formation inside nanoparticles. В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Chizhik, N. A.; Чижик Н.А.; Filatov, E. Yu.; Филатов Е.Ю.; Korenev, S. V.; Коренев С.В.; Shubin, Yu.V.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Iskhakov, R. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; Yurkin, G.Yu.; Юркин, Глеб Юрьевич; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

19.

Iron silicides formation on Si (100) and (111) surfaces through theoretical modeling of sputtering and annealing / I. V. Chepkasov, V. S. Baidyshev, E. V. Sukhanova [et al.] // Appl. Surf. Sci. - 2020. - Vol. 527. - Ст. 146736, DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146736. - Cited References: 67. - We thank Dr. Ivan Tarasov for fruitful discussions. The research is carried out using the equipment of the shared research facilities of HPC computing resources at Lomonosov Moscow State University and resources of the Center for the Information and Computing of Novosibirsk State University. The molecular dynamics study of sputtering and annealing iron silicides was supported by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060-П. All quantum-chemical calculations were supported by Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST “MISiS” (No. K2-2020-009) . - ISSN 0169-4332
Кл.слова (ненормированные):
Fe3Si -- Epitaxial films -- Sputtering -- Annealing -- MD simulation
Аннотация: The iron silicides formation during epitaxial film grown process on the (100) and (111) silicon surfaces were investigated using molecular dynamics (MD). The iron and silicon atom deposition rate and silicon substrate temperature influence on the formed iron silicide structure and stoichiometric composition were studied in detail. During the growth of iron silicide crystal structure significant diffusion of the substrate atoms into the forming BCC core occurs, this intensifies with the substrate temperature increase, and the ratio of substrate atoms inside the Fe3Si phase reaches nearly 12%. The BCC structure formation is less active on the (100) surface, and at the temperatures as low as 26 °C and 300 °C the iron silicide crystal phase does not form at all. However, with the temperature increase or the deposition rate decrease, the crystal structure formation processes occur more actively in both cases of (100) and (111) surfaces. Thus, the effect of the deposition rate decrease is identical to the temperature growth. It was shown that the formation of the structured B2 phase of iron silicide in buffer layer between the film and the substrate leads to the inhibition of the mutual diffusion of iron and silicon atoms.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Skolkovo Institute of Science and Technology, 30, bld. 1 Bolshoy Boulevard, Moscow, 121205, Russian Federation
Katanov Khakas State University, 90 Lenin pr., Abakan, 655017, Russian Federation
Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), 9 Institutskiy per., Dolgoprudny, Moscow Region, 141701, Russian Federation
Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, Moscow, 199339, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 50/38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
EK-MFA, Dept. of Nanostructures, Budapest, Hungary
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy pr., Moscow, 119049, Russian Federation
Plekhanov Russian University of Economics, 36 Stremyanny per., Moscow, 199339, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Chepkasov, I. V.; Baidyshev, V. S.; Sukhanova, E. V.; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Sule, P.; Popov, Z. I.
}
Найти похожие

20.

Formation of ferromagnetic germanides by solid-state reactions in 20Ge/80Mn films / V. G. Myagkov [et al.] // Thin Solid Films. - 2014. - Vol. 552. - P. 86-91, DOI 10.1016/j.tsf.2013.12.029. - Cited References: 53 . - ISSN 0040-6090

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Materials Science, Coatings & Films + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
PHASE-FORMATION
   MAGNETIC-PROPERTIES
   Mn5Ge3 FILMS
   X-RAY
   Ge(111)
   TRANSFORMATIONS
   DIFFUSION
   SPECTRA
   SYSTEM
   LAYERS
Кл.слова (ненормированные):
Manganite-germanium -- Solid state reaction -- First phase -- Mn5Ge3 alloy -- Carbon impurity -- Oxygen impurity -- Annealing -- Magnetic anisotropy
Аннотация: Solid state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy, and magnetic and electrical measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 20:80 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~ 120°C, the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is the first phase to form at the 20Ge/80Mn interface. As the annealing temperature increases to 300°C, the weak magnetic Mn5Ge 2 + Mn3Ge phases simultaneously begin to grow and they become dominant at 400°C. Increasing the annealing temperature to 500°C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 350-360 K and magnetization 14-25 kA/m at room temperature. The X-ray diffraction study of the samples shows the reflections from the Mn 5Ge3 phase, and the photoelectron spectra contain the oxygen and carbon peaks. The homogeneous distribution of oxygen and carbon over the sample thickness suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn 5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5Ge3CxOy. The initiation temperature (~ 120 C) is the same in the Mn5Ge3 phase with the solid-state reactions in the Ge/Mn films as well as in the phase separation in the GexMn1 - x diluted semiconductors. Thus, we conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn 1 - x diluted semiconductors.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Mikhlin, Y. L.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yurkin, G. Yu.; Юркин, Глеб Юрьевич
}
Найти похожие