Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=doping<.>)

Общее количество найденных документов : 96
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Анисимов Р. И., Колмаков А. А., Темерева А. С., Шараева А. Е., Шандаров С. М., Тимофеев, Иван Владимирович, Пятнов, Максим Владимирович
Заглавие : Анализ распределения меди в кристаллах LiNBO3:Cu с поверхностным легированием
Коллективы : Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Российская академия наук, Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Место публикации : XI Международная конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. - Москва, 2022. - С. 451-452. - ISBN 978-5-7262-2842-6
Примечания : Библиогр.:
Предметные рубрики:
Аннотация: Представлены результаты исследований распределения примеси по глубине в структурах, сформированных термической диффузией меди в пластинах X-среза ниобата лития.
РИНЦ,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Su, Binbin, Molokeev M. S., Xia, Zhiguo
Заглавие : Unveiling Mn2+ dopant states in two-dimensional halide perovskite toward highly efficient photoluminescence
Место публикации : J. Phys. Chem. Lett. - 2020. - Vol. 11, Is. 7. - P.2510-2517. - ISSN 1948-7185, DOI 10.1021/acs.jpclett.0c00593
Примечания : Cited References: 49. - This work is supported by the National Natural Science Foundation of China (51961145101, 51972118, and 51722202), Fundamental Research Funds for the Central Universities (D2190980), the Guangdong Provincial Science & Technology Project (2018A050506004), and the Local Innovative and Research Teams Project of Guangdong Pearl River Talents Program (2017BT01X137). This work is also funded by RFBR according to the research project no. 19-52-80003.
Предметные рубрики: LEAD BROMIDE PEROVSKITES
ENERGY-TRANSFER
EXCITON DYNAMICS
DOPING MN2+
Аннотация: Doping is able to create novel optoelectronic properties of halide perovskites, and the involved mechanism of efficient emission is still a challenge. Herein Mn2+ substitution into 2D layered perovskites (C8H20N2)PbBr4 was investigated, demonstrating broad-band orange-red emission originating from the 4T1 → 6A1 transition of Mn2+ dopant. The photoluminescence quantum yield (PLQY) of Mn2+ emission is up to 60.8% related to the energy transfer in coupled states. We verify that an actual Mn2+ dopant as low as 0.476% reaches a high PLQY, whereas the nominal adding amount is 0.8 as the Mn2+/Pb2+ ratio. The small activation energy (∼6.72 meV) between the Mn2+ d state and the trap state accounts for this highly efficient energy transfer and photoluminescence. The proposed luminescence mechanism in Mn2+-doped 2D halide perovskites would provide unique insights into the doping design toward high-performance luminescence materials.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zhou, Guojun, Guo, Shaoqiang, Zhao, Jing, Molokeev M. S., Liu, Quanlin, Zhang, Junying, Xia, Zhiguo
Заглавие : Unraveling the mechanochemical synthesis and luminescence in MnII-based two-dimensional hybrid perovskite (C4H9NH3)2PbCl4
Место публикации : Sci. China Mater. - 2019. - Vol. 62, Is. 7. - P.1013-1022. - ISSN 2095-8226, DOI 10.1007/s40843-018-9404-4. - ISSN 2199-4501(eISSN)
Примечания : Cited References: 40. - The present work was supported by the National Natural Science Foundation of China (91622125, 51722202 and 51572023) and the Natural Science Foundation of Beijing (2172036), and Molokeev M acknowledges the support of the Russian Foundation for Basic Research (17-52-53031). The DFT calculation was carried out at the National Supercomputer Center in Tianjin, and the calculations were performed on TianHe-1(A).
Предметные рубрики: DOPANT ENERGY-TRANSFER
EMISSION
EXCITON
MODEL
Аннотация: The mechanochemical route is a facile and fast way and has received much attention for developing versatile advanced functional materials. Herein, we reported a mechanochemical synthesis for incorporating divalent manganese ions (MnII) into a two-dimensional (2D) hybrid perovskite (C4H9NH3)2PbCl4. The mild external stimuli originating from the grinding at room temperature enabled the formation of MnII-doped 2D hybrid perovskites, and rapidly changed the luminescence characteristics. The photoluminescence analyses show that the violet and orange emissions are attributed to (C4H9NH3)2Pb1–xMnxCl4 band-edge emission and the T1→6A1 transition of Mn2+ resulting from an efficient energy transfer process, respectively. Site preference and distribution of the doped Mn2+ cations on the locations of Pb2+ were analyzed. The formation energy calculated by the density functional theory (DFT) indicates that the Mn2+ ions can rapidly enter the crystal lattice due to the unique 2D crystal structure of the hybrid perovskite. Such a case of mechanochemical synthesis for the 2D hybrid perovskite motivates many novel emerging materials and the related applications.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Semenov S. V., Gokhfeld D. M., Balaev D. A., Yakimov I. S., Petrov M. I.
Заглавие : Tuning the peak effect by in Y1-xNdxBa2Cu3O7-δ compound by Nd doping
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российский фонд фундаментальных исследований
Место публикации : Moscow International Symposium on Magnetism (MISM-2017): 1-7 July 2017 : book of abstracts. - 2017. - Ст.3PO-I-19. - P.576
Примечания : Библиогр.: 4
РИНЦ,
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ren Q., Zhang J., Molokeev M. S., Zhou G., Zhang X. -M.
Заглавие : Triplet-triplet energy transfer from Bi3+to Sb3+in zero-dimensional indium hybrids via a B-site co-doping strategy toward white-light emission
Место публикации : Inorg. Chem. Front. - 2022. - Vol. 9, Is. 22. - P.5960-5968. - ISSN 20521553 (ISSN), DOI 10.1039/d2qi01631a
Примечания : Cited References: 60. - This work was supported by the Natural Science Foundation of Shanxi Province (No. 20210302124054), the National Natural Science Foundation of China (No. 21871167), the Science and Technology Innovation Project of Colleges and Universities in Shanxi Province (No. 2021L262), the 1331 Project of Shanxi Province and the Postgraduate Innovation Project of Shanxi Normal University (No. 2021XSY040), and funded by RFBR according to the research project No. 19-52-80003
Аннотация: Low-dimensional metal halides have emerged as promising platforms for the development of new-generation phosphor-converted light emitting diodes (pc-LEDs), in which zero-dimensional (0D) hybrids with lone-pair ns2 states, in particular, show unprecedented competitiveness owing to their fascinating photoluminescence (PL) properties. Herein, we designed a novel 0D indium hybrid, (C20H20P)2InCl5, and proposed a co-doping strategy to incorporate Bi3+ (6s2) and Sb3+ (5s2) ions into this indium hybrid. Widely tunable emissions from blue to red are achieved, which are assigned to the triplet self-trapped excitons (STEs) (3P1 → 1S0) of Bi3+ (476 nm) and Sb3+ (658 nm), respectively. Importantly, an uncommon triplet–triplet energy transfer from Bi3+ to Sb3+ contributes to tunable dual emissions, and enables a single-phase cool white-light emission under ultraviolet (UV) excitation. Moreover, the energy transfer mechanism is discussed clearly by fluorescence photon dynamic analysis and DFT calculations. This work provides a deeper insight into triplet–triplet energy transfer, as well as presents a new model system for tuning the PL behaviours of ns2 configuration dopants.
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Semenov A. P., Semenova I. A., Bulina N. V., Lopatin V. A., Karmanov N. S., Churilov G. N.
Заглавие : Thin fullerene-containing films synthesized by ion beam sputtering of fullerene mixtures with doping additives in vacuum
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: AMER INST PHYSICS, 2005. - Vol. 31, Is. 12. - P1022-1025. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/1.2150887
Примечания : Cited References: 11
Предметные рубрики: DISCHARGE
Аннотация: A new approach to the synthesis of films containing fullerenes and doping elements is described. It is suggested that a cluster mechanism of the target sputtering by accelerated ions makes possible the deposition of fullerenes on a substrate with a certain probability for dopant atoms being introduced into the cavities of fullerene molecules and a higher probability of their occurrence between fullerene molecules. The proposed method has been experimentally implemented by using an Ar+ ion beam to sputter C-60 /C-70 fullerene mixtures (synthesized in a plasmachemical reactor at a pressure of 10(5) Pa) pressed into disk targets with a doping element (Fe, Na, B, Gd, or Se). The ion beam sputtering of dopant-containing fullerene mixtures in a vacuum of similar to 10(-2) Pa allowed micron-thick films containing C-60 and C-70 fullerenes and the corresponding dopant element (Fe, Na, B, Gd, or Se) to be grown on quartz substrates. (C) 2005 Pleiades Publishing, Inc.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G., Yakimov L. E.
Заглавие : The role of orbital ordering in the formation of electron structure in undoped LaMnO3 manganites in the regime of strong electron correlations
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2006. - Vol. 102, Is. 6. - P972-985. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776106060112
Примечания : Cited References: 25
Предметные рубрики: COLOSSAL MAGNETORESISTIVE OXIDES
DOUBLE EXCHANGE
BAND
MODEL
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): computational methods--correlation methods--doping (additives)--electrons--ferromagnetic materials--lanthanum compounds--paramagnetic materials--intraatomic electron correlations--mott hubbard correlation gap--orbital ordering--paramagnetic phases--electronic structure
Аннотация: The electron structure of undoped LaMnO3 and slightly doped La1-xSrxMnO3 manganites has been calculated within the framework of a generalized tight binding method with explicit allowance for strong intra-atomic electron correlations. According to the results of these calculations, the ground state in orbitally disordered undoped LaMnO3 ferromagnets would be metallic despite the Mott-Hubbard correlation gap in the spectrum of quasiparticles. Owing to the orbital ordering, the insulating state is stabilized in both antiferromagnetic and paramagnetic phases. In-gap states of a polaron nature with a spectral weight proportional to the dopant concentration have been found near the top of the valence band in La1-xSrxMnO3. As the doping level increases, a metal state appears in the ferromagnetic phase, which has a metallic character for one spin subband and an insulating character for the other subband (representing the so-called half-metallic state).
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Korshunov M. M., Zakharova E. V., Nekrasov I. A., Pchelkina Z. V., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The Fermi surface and the role of electronic correlations in Sm2-xCexCuO4
Коллективы :
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: The Fermi surface and the role of electronic correlations in Sm 2-xCexCuO4
Место публикации : J. Phys.: Condens. Matter: IOP PUBLISHING LTD, 2010. - Vol. 22, Is. 1. - Ст.15701. - ISSN 0953-8984, DOI 10.1088/0953-8984/22/1/015701
Примечания : Cited References: 35. - We would like to thank A A Kordyuk and I Eremin for useful discussions. The authors acknowledge support from RFBR (grants 08-02-00021, 10-02-00662, 08-02-91200 and 07-02-00226), the RAS programs on 'Low temperature quantum phenomena', 'Quantum physics of condensed matter' and 'Strongly correlated electrons solids', President of Russia (grants MK-614.2009.2 (IN) and MK-3227.2008.2 (ZP)), Scientific School (grant SS-1929.2008.2), Interdisciplinary UB-SB RAS project, Dynasty Foundation (ZP) and Russian Science Support Foundation (IN).
Предметные рубрики: T-C SUPERCONDUCTOR
IN-GAP STATES
SPIN CORRELATIONS
BAND
LA2-XSRXCUO4
EXCITATIONS
TRANSITION
EVOLUTION
SM2CUO4
OXIDES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): antiferromagnetics--doping evolution--electron-doped--electronic correlation--emery model--experimental data--generalized tight bindings--high-t--hybrid scheme--magnetic orders--spin-liquid--tight binding model--two-regime--antiferromagnetism--cerium--cerium compounds--copper oxides--corundum--doping (additives)--fermi surface--fermions--tin--surfaces
Аннотация: Using a LDA + GTB (local density approximation + generalized tight-binding) hybrid scheme we investigate the band structure of the electron-doped high-T-c material Sm2-xCexCuO4. Parameters of the minimal tight-binding model for this system (the so-called three-band Emery model) were obtained within the NMTO (Nth-order muffin-tin orbital) method. The doping evolution of the dispersion and the Fermi surface in the presence of electronic correlations was investigated in two regimes of magnetic order: short-range (spin-liquid) and long-range (antiferromagnetic metal). Each regime is characterized by the specific topologies of the Fermi surfaces and we discuss their relation to recent experimental data.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bi J., Wang X., Molokeev M. S., Zhu Q., Li X., Chen J., Sun X., Kim B. -N., Li J. -G.
Заглавие : The effects of Ga3+ substitution on local structure and photoluminescence of Tb3Al5O12:Ce garnet phosphor
Место публикации : Ceram. Int. - 2018. - Vol. 44, Is. 7. - С. 8684-8690. - ISSN 02728842 (ISSN), DOI 10.1016/j.ceramint.2018.02.104
Примечания : Cited References: 30
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): tbag:ce--ga doping--crystal structure--photoluminescence
Аннотация: Tb0.985Ce0.015)3(Al1-xGax)5O12 garnet phosphors (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3, and 1.0) were prepared by calcining their coprecipitated precursors in air at 1500 °C, followed by reduction in hydrogen at 1200 °C. Rietveld refinement of the XRD results suggested that the Ga dopant predominantly resides at the octahedral Al site of the garnet lattice. Ga doping led to linearly expanded lattice constant, cell volume and theoretical density of the garnet compound and successively lower intensity and longer average fluorescence lifetime of the ~ 570 nm emission of Ce3+. Blue shifted emission and 4f(2F5/2)→5d1(E2g) excitation and red shifted 4f(2F5/2)→5d2(E2g) excitation were also observed for the Ce3+ activator at a higher Ga content. The phenomena were interpreted by considering the band structure of the host, distortion of the CeO8 polyhedron, and centroid shift and field splitting of the Ce3+ 5d energy levels.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие